微电子概论（第3版）课件2-3-4pn结势垒电容.pptx

《微电子概论（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝跃贾新章史江一》ThirdEdition

目录1.pn结交流小信号特性2.3.4pn结交流小信号特性2.小信号电导简化分析3.扩散电容4.pn结势垒电容5.pn结电容与应用

4.势垒电容(1)势垒电容的定性分析（以反偏为例）t=0：在直流偏置V0作用下，势垒区中冶金结两侧分别存在空间电荷+Q0和-Q0t=t1：反偏电压绝对值增大，势垒区变宽(a)势垒区中正负电荷随结电压的变化两侧空间电荷分别增加+dQ和-dQt=t2：反偏电压绝对值减小，势垒区中空间电荷减少

4.势垒电容(1)势垒电容的定性分析（以反偏为例）势垒区中正负电荷随电压的变化而变化，是一种电容效应，称为势垒电容。(b)势垒电容

4.势垒电容(2)势垒电容的定量计算势垒电容CJ的大小与偏置电压有关，引入微分电容概念：推导得：讨论：势垒电容CJ类似平行板电容器。

5.pn结电容与应用(1)pn结电容的构成pn结电容为扩散电容和势垒电容之和。无论是扩散电容还是势垒电容，电容值均随着偏置电压的增大而增大。正偏情况下，随着V0增加，IDQ指数增加，而W(V0)则减小缓慢，因此正偏情况下pn结电容以扩散电容为主。反偏情况下，IDQ非常小，因此反偏情况下pn结电容以势垒电容为主。

5.pn结电容与应用(2)pn结电容的应用集成电路设计中可以利用pn结反偏势垒电容作为电路中的一个电容器，因为这时流过pn结的电流是很小的反向饱和电流，相当于该电容器漏电流很小。由于pn结反偏势垒电容的大小随反偏电压变化而变化，利用这一特点可以设计制造一种通过改变偏压调整电容量的“变容二极管”。注意：正偏情况下扩散电容虽然有较大的电容数值，但是由于正偏时流过pn结的电流较大，相当于电容器的漏电流较大，因此无法得到应用，或者说扩散电容只是一种起负面作用的“寄生电容”。