微电子概论（第3版）课件2-4-3BJT穿通.pptx

《微电子概论（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝跃贾新章史江一》SecondEdition

1.BJT的单结击穿电压BVEBO和BVCBO2.4.3晶体管的击穿电压2.涉及两个结的击穿电压BVCEO3.基区穿通目录

3.基区穿通(1)基区穿通现象基区穿通与基区宽变效应物理过程类似，只是程度不同。导致CB结势垒宽度增大则基区宽度xB减小反偏VCB增大若VCB增大到尚未发生C-B结击穿，但是使得基区宽度xB→0。这一现象称为基区穿通（Basepunch-through）。

3.基区穿通(1)基区穿通现象如果从基区少子扩散电流的计算关系可以直观理解基区穿通的后果。若接近基区穿通程度，导致基区宽度xB→0，则基区少子分布斜率急剧增大导致少子扩散电流InC急剧增大表现为“击穿”，BJT将不能正常工作。→集电极电流IC随之急剧增大

3.基区穿通(2)基区穿通电压VPT使得基区宽度xB→0的VCB称为穿通电压，记为VPT。xB0为基区掺杂结深xjc与发射区掺杂结深xje之差：如果不考虑正偏BE结势垒区在基区一侧的宽度，若VCB=VPT，则CB势垒区宽度(xdc)在基区一侧的宽度(xdc)B等于基区宽度xB0。xB0=xjc-xje由此可以计算VPT的值。

3.基区穿通解得（忽略Vbi）：例：均匀掺杂基区BJT的VPT根据突变pn结势垒区宽度计算公式若VCB=VPT，则(xdc)B=xB0代入上式例如：若计算得VPT=52V

3.基区穿通(3)保证基区穿通电压VPT的要求BJT设计中根据击穿电压BVCB要求确定集电区的掺杂浓度NC，为了保证器件正常工作，应该保证基区穿通电压VPT不能小于BVCB。对确定的NC，为了保证VPT达到一定要求，需要基区宽度xB0和基区掺杂浓度NB。不能太小。在设计BJT时为了提高电流放大系数以及特征频率而降低基区宽度xB0和基区掺杂浓度NB时一定要适当，其前提条件是要保证VPT达到要求。