微电子概论（第3版）课件2-6-6A四种MOSFET的对比分析.pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

目录1.MOSFET器件特点2.6.6MOSFET模型2.MOSFET符号4.MOSFET模型与模型参数3.四种MOSFET特性对比

1.MOSFET器件特点①MOSFET是一种表面型器件，提高器件性能的关键是改善表面特性和缩小表面沟道几何尺寸。②沟道电流IDS为多子漂移电流，所以MOSFET为单极器件由于电子迁移率比空穴迁移率高，因此NMOS性能优于PMOS。③MOSFET是电压控制器件：VGS控制IDS④栅、源间有栅介质，栅电流极小，因此MOSFET是容性高输入阻抗器件。⑤由于沟道和衬底之间构成pn结，在同一衬底上形成的多个MOS晶体管之间具有自隔离的效果。

1.MOSFET器件特点⑥MOSFET的IDS-VDS输出特性曲线从原点“扇形”展开饱和区指VDS↑增加沟道电流IDS基本不变的区域。BJT的IC-VCE输出特性曲线是从一条“包络线”弹出饱和区指集电极电流IC增加但是VCE基本不变的区域。JFET器件特性BJT器件特性

2.MOSFET符号(1)基本符号MOSFET分n沟MOSFET和p沟MOSFET两类，每类均可采用耗尽型和增强型两种工作模式，因此MOSFET器件一共分为四种。

2.MOSFET符号(1)基本符号电路符号中，衬底电极上的箭头方向代表源极-衬底之间电流的方向按照箭头方向区分n沟与p沟器件。D-S之间连线为实线表示零偏时已存在导电沟道，代表耗尽型器件。D-S之间连线为虚线表示零偏时不存在导电沟道，代表增强型器件。

2.MOSFET符号(2)电路中常用符号CMOS数字IC中都采用增强型器件。而且衬底均与源极连接。借用数字电路中代表“低电平有效”的小圆圈区分n沟和p沟MOS器件符号。p沟MOS器件符号栅极带有小圆圈表示栅极加低电平才能在半导体表面形成p型导电沟道。因此n沟和p沟MOS器件均只需一种符号。

2.MOSFET符号(2)电路中常用符号模拟IC中通常在源端加表示电流方向的箭头区分n沟和p沟MOS器件符号。n沟MOS器件源端提供电子，对应电流方向流出源极。p沟MOS器件源端提供空穴，对应电流方向从源极流入。

3.四种MOSFET特性对比(1)偏置条件

3.四种MOSFET特性对比(2)输出直流特性增强型nMOS耗尽型nMOS增强型pMOS耗尽型pMOS

图中与ID＝0对应的电压VGS即为阈值电压VT3.四种MOSFET特性对比(3)转移特性