微电子概论（第3版）课件3-6外延生长.pptx

目录1．外延生长原理3.6外延生长2．外延生长设备3．表征外延层的参数4．分子束外延MBE

1．外延生长原理(1)外延生长的含义(a)外延生长（epitaxialgrowth）在单晶衬底上沿原来晶向向外延伸生长一薄层单晶层。新生长的单晶薄层称为外延层。(b)同质外延若外延层材料与单晶衬底材料相同，则称为同质外延。目前Si集成电路制造中采用的基本都是在Si上外延Si，是同质外延。(c)异质外延若外延层材料与单晶衬底材料互不相同，则称为异质外延。异质外延生长技术在异质结器件制造中得到广泛采用。

1．外延生长原理(2)外延生长技术的作用1960年发明的外延生长技术，较好地解决了当时高频大功率晶体管对集电区材料电阻率要求的矛盾，提高了高频大功率特性。目前无论是双极集成电路还是MOS集成电路生产过程，外延生长都是主要工序之一。采用异质外延技术，促使了异质结半导体器件的迅速发展。

1．外延生长原理(3)外延生长原理(a)外延生长从外延生长反应原理看，外延生长技术属于化学气相淀积技术范畴。可以分为两类：①气相四氯化硅还原反应：在加热的硅衬底表面四氯化硅与氢气反应还原出硅原子淀积在硅表面上：SiCl4+2H2=Si+4HCl②硅烷热分解：SiH4=Si+2H2

1．外延生长原理(3)外延生长原理(b)外延掺杂在外延生长过程中只要随输入气流中掺入一定量三价或五价杂质原子的化合物，随着外延生长，外延层中就同时掺入杂质。控制杂质类型和输入气流的流量，就可控制外延层的导电类型和电阻率。外延掺杂的优点是掺杂浓度可精确控制，而且可以实现突变分布。

2．外延生长设备外延生长设备也是一种高温加热反应设备。最大特点是加热方式与热氧化炉、扩散炉不同。根据生长原理，只要温度达到外延生长要求的温度(一般为1000～1200℃)，该区域上就会淀积一层硅。若采取像高温扩散炉那样电阻丝加热的方法，整个石英管壁上都会淀积上一层硅。因此外延生长设备必须采用局部加热的方法。例如采用高频感应方法只通过放硅衬底的石墨底座加热。(1)外延生长设备的特点

2．外延生长设备传统方法是高频感应加热。在高频电场中，具有一定电阻率的石墨底座感应发热，给石墨底座上的晶圆加热，达到需要的温度。(2)高频感应加热

2．外延生长设备辐射加热式桶形反应器，将红外辐射直接聚焦到放置硅片的衬底材料上，使其加热达到要求的温度。辐射加热方法生长的外延层均匀性更好，而且生产效率更高(3)辐射加热

3．表征外延层的参数(1)外延层厚度外延层必须具有一定的厚度，而且整片晶圆上外延层厚度应该均匀。①外延层厚度应该满足器件性能参数要求。例如双极集成电路中，按照器件不发生“外延层穿通”的要求确定外延层厚度。②为了保证器件特性参数的一致性，应控制工艺波动，保证外延层厚度均匀性。

3．表征外延层的参数(2)外延层电阻率外延层电阻率取决于外延层掺杂浓度。①外延层电阻率应该满足器件性能参数要求。例如常规双极集成电路中，按照工作电压确定外延层电阻率。②为了保证器件特性参数的一致性，应控制工艺波动，保证外延层电阻率分布的均匀性。

3．表征外延层的参数(3)外延层缺陷外延层中可能出现位错、层错、麻坑、雾状缺陷、伤痕等多种缺陷。应控制生长条件，使得缺陷尽量少。对外延层缺陷的定量要求取决于器件类型和特性参数要求。

4．分子束外延MBE(1)分子束外延原理MBA：MolecularBeamEpitaxyMBA技术实际上是一种超高真空“蒸发”方法。即在超高真空环境下，加热待外延生长的材料，使之形成定向分子流，即分子束。分子束射向具有一定温度的衬底（一般为400～800℃），就淀积于衬底表面形成单晶外延层。生长速度一般在（0.01～0.3）μm／min之间。

4．分子束外延MBE(2)分子束外延特点(a)优点组分以及杂质分布精确可控外延层厚度可控制到原子级；(b)缺点生长速度慢，且设备相当昂贵。(c)应用适用于对外延质量要求较高的集成电路以及一些新型化合物微波半导体器件的生产。