微电子概论（第3版）课件2-3-4pn结小信号电导.pptx

《微电子概论（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝跃贾新章史江一》SecondEdition

目录1.pn结交流小信号特性2.3.4pn结交流小信号特性2.小信号电导简化分析3.扩散电容4.pn结势垒电容5.pn结电容与应用

1.pn结交流小信号特性(1)交流信号作用下的结偏置若pn结两端直流偏置电压为V0，交流正弦信号电压为vac(t)，则耗尽层两端的电压为vac(t)可表示为：式中为相位复数矢量，描述了信号的振幅和相位ω为信号的角频率

1.pn结交流小信号特性(2)“小信号”条件下的pn结交流特性在理想pn结直流特性分析采用的四个近似条件基础上增加下述两个条件①交流小信号条件：②信号频率ω满足条件：ωτ1采用分离变量法求解交流连续性方程，就可以通过等效导纳描述“小信号”条件下的pn结交流特性。

1.pn结交流小信号特性(2)“小信号”条件下的pn结交流特性在交流信号作用下，流过pn结的交流电流分量与交流电压之比称为pn结二极管的等效导纳Y。如果知道pn结二极管的等效导纳Y，对于给定的外加交流电压，就可以计算得到流过pn结二极管的交流电流。

1.pn结交流小信号特性(2)“小信号”条件下的pn结交流特性解交流连续性方程可得，pn结等效交流导纳Y对应一个电阻和电容并联：称为微分电容式中称为微分电导或称为扩散电导

2.小信号电导的简化分析(1)小信号电导的简化推导正偏pn结I-V特性可近似表示为：I=ISexp[q(Va)/kT]若正偏电压Va由V0增加到V0＋△V，则pn结电流增量为：△I=ISexp[q(V0＋△V)/kT]-ISexp[q(V0)/kT]=ISexp[q(V0)/kT][exp(q△V)/kT–1]=IDQ[exp(q△V)/kT–1]注意：不管增量△V是多大，上式都成立。

2.小信号电导的简化分析(1)小信号电导的简化推导由△I=IDQ[exp(q△V)/kT–1]若△VkT/q则得：△I＝IDQ(q/kT)△V=gd△V注意：上述推导中采用了交流小信号条件△VkT/q。式中gd=(q/kT)IDQ即为小信号电导。则exp(q△V)/kT≈1+(q△V)/kT

2.小信号电导的简化分析(2)从pn结伏安特性解读小信号电导正偏pn结I-V特性可表示为:小信号电导就是直流偏置电压V0处I-V特性的导数：因此gd就是I-V特性在直流工作点处切线的斜率I=ISexp[q(Va)/kT]

2.小信号电导的简化分析(2)从pn结伏安特性解读小信号电导讨论：pn结交流小信号电导与直流偏置的关系交流小信号电导与直流偏置电流IDQ成正比。在一定的交流小信号电压作用下，流过pn结的交流电流随着IDQ的增加而线性增加。随着正向直流偏压V0的增加而指数增加。

2.小信号电导的简化分析(2)从pn结伏安特性解读小信号电导讨论：不同材料pn结的交流小信号电导小信号电导只与直流偏置电流IDQ相关。对采用不同半导体材料构成的pn结，在I-V特性曲线，直流工作点电流相同处的切线相互平行。I-V特性曲线也必然相互平行。