微电子概论（第3版）课件2-4-3BJT的CE击穿.pptx

《微电子概论（第3版）IntroductiontoMicroelectronics郝跃贾新章史江一》SecondEdition

双极晶体管中包括有两个pn结，其工作电压除了受到单个pn结击穿电压的限制外，还存在两个限制工作电压的特殊问题：①共射极连接、输入端基极开路情况下的C-E击穿电压BVCEO；②基区穿通（Basepunch-through)；本节在分析单个pn结击穿电压特点的基础上，重点介绍C-E击穿电压BVCEO和基区穿通的特点、物理过程以及改善击穿特性的技术途径。

1.BJT的单结击穿电压BVEBO和BVCBO2.4.3晶体管的击穿电压2.涉及两个结的击穿电压BVCEO3.基区穿通目录

1.BJT的单结击穿电BVEBO和BVCBOBJT包含有两个pn结。记每个单结的击穿电压为BVEBO和BVCBO①pn结击穿电压主分别为要取决于轻掺杂一侧掺杂浓度BJT中CB结击穿电压BVCBO明显高于EB结击穿电压BVEBO。②由于EB结通常工作于正偏状态，因此BVEBO较低影响并不大。③CB结击穿电压主要取决于轻掺杂一侧，即集电区的掺杂浓度。

2.涉及两个结的击穿电压BVCEO(1)BVCEO击穿现象共射极连接情况下，如果输入端基极开路(Open)，在VCE作用下，流过BJT的电流为较小的ICEO，基本不变。当VCE增大到一定值时，ICEO突然急剧增大，趋于无穷大，表现为“击穿”。这时的VCE称为CE击穿电压，记为BVCEO

2.涉及两个结的击穿电压BVCEO(2)C-E击穿时偏置特点在共射极连接并且输入端基极开路的情况下，VCE跨接于CB结和BE结两端，使得CB结反偏，而BE结正偏。尽管输入端基极开路，但是BJT实际上处于正向放大状态。受到正偏BE结的影响，使得C-E击穿物理过程不同于单个反偏的BC结击穿。

2.涉及两个结的击穿电压BVCEO(3)击穿电压BVCEO的定量分析结果对硅：n≈3定量分析得：显然，BVCEO明显小于BVCBO。注意前面曾分析得到ICEO＝(1＋β0)ICBO即ICEO明显大于ICBO

2.涉及两个结的击穿电压BVCEO(3)击穿电压BVCEO的定量分析结果则BVCBO需要达到：例：若BJT的β0=100，取n=3。要求BVCEO=15V，设计晶体管时应按照BVCBO=70V的要求确定集电区掺杂浓度NC。