微电子概论（第3版）课件2-5-4JFET器件特性分析定量描述.pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

目录1.线性区和过渡区2.5.4JFET直流特性定量分析2.饱和区3.截止区

基于pn结基本结论，分析栅源电压VGS对沟道“可变电阻”的控制，就可以推导得到ID与VDS之间的关系，这就是ID与VDS特性的定量描述。这种方法物理过程明确，但是采用该模型进行电路模拟时经常出现不收敛问题，因此Spice等电路模拟软件中均采用近似表达式。

1.线性区和过渡区线性区和过渡区(1)偏置情况：VGSVP（对n沟JFET，夹断电压为负值）式中，β称为跨导因子，β＝(eμnND)aW/L其中L、W和a分别是沟道的长、宽和厚度0＜VDS＜夹断电压VDS(sat)=VGS-VP(2)电流表达式IDS＝β[2(VGS-VP)VDS-VDS2]

2.饱和区式中，λ为沟道长度调制系数。λ≡(△L/L)/(VDS)代表单位漏源电压引起的沟道长度的相对变化率。VDS夹断电压VDsatIDS＝β(VGS-VP)2(1+λVDS)线性区和过渡区饱和区(1)偏置情况：VGSVP（对n沟JFET，夹断电压为负值）(2)电流表达式

3.截止区偏置情况：VGS＜VP沟道完全消失，因此IDS＝0。线性区和过渡区截止区饱和区