微电子概论（第3版）课件2-6-3MOSFET特性定量分析.pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

目录1.约定与假设2.6.3MOSFET直流特性定量分析2.ID-VDS特性定量分析

1.约定与假设①沟道电流沿沟道方向一维流动取沟道源端作为一维X坐标原点②沟道电流为多子漂移电流，载流子迁移率为常数③栅氧为理想绝缘材料栅与沟道之间电流=0

1.约定与假设④缓变沟道近似：表面沟道中垂直方向电场（取决于VG）远大于产生沟道漂移电流的水平方向电场（取决于VDS）。因此沟道可动面电荷密度Qn(x)=COX(VGX-VT)沿X方向“缓变”。说明：记沟道中多子电子浓度分布为n(x)，则沟道中可动面电荷密度可表示为：Qn(x)=en(x)h(x)式中h(x)为X处导电沟道的厚度。

2.非饱和区ID-VDS特性定量分析(1)基本关系式沟道中x到x+dx一段压降为dV=IDdR(x)Qn(x)=COX(VGX-VT)Qn(x)=en(x)h(x)

(1)基本关系式2.非饱和区ID-VDS特性定量分析

可以将μCox用参数KP表示，称为跨导参数KP=μCox则有：(1)基本关系式2.非饱和区ID-VDS特性定量分析KP是Spice软件中的一个模型参数

(2)讨论：线性区情况若VDSVDsat=VGS-VT得ID与VDS成正比，故称为线性区。2.非饱和区ID-VDS特性定量分析

饱和区电流保持漏端刚夹断时，即VDS=VDsat时的非饱和区电流不变，因此将非饱和区电流表达式中的VDS代为VDsat=VGS-VT得因此饱和区电流表达式为：3.饱和区ID-VDS特性定量分析(1)基本关系式

2.ID-VDS特性定量分析(2)饱和电流的控制①增大跨导参数KP②通过工艺控制减小阈值电压VT采用迁移率高的半导体材料。减小氧化层厚度或者采用高k介质，增大栅氧电容COX。③版图设计：控制栅极尺寸的宽长比(W/L)。其中沟道长度L主要取决于工艺水平，所以主要改变栅的宽度W。对于电流较大的器件，版图中其宽长比值（W/L）可能很大。

2.ID-VDS特性定量分析(3)考虑沟道调制效应的影响若引入沟道长度调制系数λ≡ΔL/（LVDS），代表单位漏源电压引起的沟道长度的相对变化率。则得饱和区中的电流表达式为沟道夹断后，随着VDS的增大，夹断点向源端移动，有效沟道长度Leff将会变小，将使IDS略有增加，称为沟道调制效应。