微电子概论（第3版）课件3-3B_光刻与刻蚀工艺.pptx

目录1．光刻与刻蚀的作用3.3光刻与刻蚀工艺2．光刻与刻蚀工艺过程3．表征光刻水平的参数4．光刻工艺面临的挑战与技术进步

(1)特征尺寸与工艺节点3．表征光刻水平的参数集成电路早期，将能够刻蚀的最细线条作为表征光刻水平的表征参数，称之为特征参数CD（CriticalDimension）。

(1)特征尺寸与工艺节点但是，进入2000s年代，工艺技术水平发展到深亚微米阶段，最窄间距明显大于最细线条。为了综合表征最细线条和最小间距情况，借用齿轮中“节距(pitch)”一词，将一组均匀排列的线条中，相邻两根线条中心线之间的间距称为节距。并且将刻蚀的最细“节距”的一半作为代表工艺水平的工艺节点标志。3．表征光刻水平的参数

(1)特征尺寸与工艺节点3．表征光刻水平的参数显然，一组均匀排列的线条中，节距也是一根线条与一条间距之和。由于深亚微米阶段最窄间距明显大于最细线条，特征尺寸明显小于半节距。例如，2007年工艺节点发展到45nm阶段，最短沟道长度可以短到32nm。目前以工艺节点作为表征工艺水平的标志。描述器件结构时，例如说明最小沟道长度时，将要采用特征尺寸。

3．表征光刻水平的参数表征工艺水平发展变化的“工艺节点”

(2)套刻精度3．表征光刻水平的参数套刻精度高低描述了不同层次图形之间的对准误差情况。集成电路制造过程包括多次与光刻相关的工序，由各次光刻采用的版图图形共同确定了器件结构，因此要求每次光刻图形必须与前面已刻蚀的图形对准。但是每次光刻之间的对准必然存在误差，因此版图设计中必须预留套刻间距。必须预留的套刻间距取决于光刻机的对准精度，也就成为表征光刻水平高低的一个参数。

(3)光刻缺陷3．表征光刻水平的参数生产中常见的光刻缺陷包括：窗口未刻蚀干净，存在“小岛”保留的氧化层上出现“针孔”互连线条不平整，局部变窄……光刻工艺过程以及光刻采用的光刻版存在缺陷都可能导致光刻缺陷。

(3)光刻缺陷3．表征光刻水平的参数集成电路管芯成品率与多种因素有关，但光刻后图形的成品率是决定产品总成品率的重要因素。例如，若每次光刻产生的图形成品率为99%，如果一共进行20次光刻，则管芯图形总成品率只为(99%)25≈74%当然，最后集成电路管芯成品率比图形成品率还要低。因此光刻缺陷也是表征光刻水平的一个重要参数。