微电子概论（第3版）课件4-5CMOS集成器件与电路设计-双极和CMOS集成电路比较 .pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

1.制造工艺4.5双极和CMOS集成电路比较2.互连线目录3.集成度4.性能比较

1.制造工艺MOS工艺，阱、源漏需要两次扩散或者注入工艺双极工艺，埋层、隔离墙、基区、发射区需要四次扩散或者注入工艺工艺步骤多引入缺陷多，成品率低，成本高

2.互连线MOS器件为压空器件，输出阻抗高，所需电流小，功耗低，互连线窄双极器件电流大，功耗大，线宽需求宽VinVoutCLVDDVDDVDDVin=VDDVin=0VoutVoutRnRp

3.集成度CMOS工艺为自隔离工艺，无需专门的隔离，面积小，通常同样工艺，一个MOS晶体管的尺寸只要双极晶体管的1/4~1/3双极工艺需要隔离墙，面积大

4.性能比较MOS晶体管小信号跨导取决于尺寸和迁移率，漏极和衬底之间有输出电容，影响开关速度；同时，跨导小，不适合过高速度与过大电流场景双极晶体管小信号电导与工作电流成比例，与尺寸无关BiCMOS兼顾了二者的优点，高密度、低功耗、高速大驱动能力