微电子概论（第3版）课件5-3-2半导体存储器电路-随机存取存储器 .pptx

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2025-04-23 发布于山东
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微电子概论（第3版）课件5-3-2半导体存储器电路-随机存取存储器 .pptx

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IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

5.3.1只读存储器5.3半导体存储器电路5.3.2随机存取存储器目录

1.静态RAM5.3.2随机存取存储器2.动态RAM目录

1.静态RAM速度快、集成度高、成本低、功耗低，是高性能计算的基本构件静态随机存储器（StaicRAM，SRAM）6管CMOSSRAM存储单元结构不断电信息持续保存，断电后数据会丢失VM1、VM2、VM3、VM4构成锁存器

1.静态RAM写入：将需要写入的信号I加到BL上，将I加到BLB上，WL字线控制VM5、VM6打开，将BL和BLB上信号写入6管CMOSSRAM存储单元结构读出：位线BL和BLB预充到电源电压，通过地址译码选中对应的行并置为高电平WL＝1，若存储单元中存储的是“1”，则VM1、VM5导通，有电流从VM1、VM5流出，BLB电压下降，BL和BLB间电位产生电位差，达到一定值后打开灵敏放大器，对电压进行放大，输出电压，读出数据；存储单元中是“0”的情况类似

2.动态RAM速度快、密度高、成本低、功耗低，是高性能计算的基本构件动态随机存储器（DynamicRAM，DRAM）DRAM存储单元依赖电容保存信息，信息需要定期刷新，否则会丢失写入：字线选中存储单元，VM打开，位线给电容充电/放电（1/0）读出：字线预充至给定值，位线选中，读出电容电压值刷新：由于位线寄生电容会导致电荷共享，从而导致电容CS电荷泄露，导致单元信息丢失，要保证存储信息正确，需要刷新以补充电容CS的电荷