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ICS31.080.01
CCSL40
中华人民共和国国家标准
GB/T4937.40—XXXX/IEC60749-40:2011
`
半导体器件机械与气候试验方法
第40部分:采用应变仪的板级跌落试验方
法
Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part40:Boardleveldroptestmethodusingastraingauge
(IEC60749-40:2011,IDT)
(报批稿)
(本稿完成时间:2021-10-31)
(供审查用)
XXXX-XX-XX发布
XXXX-XX-XX实施
I
GB/T4937.40—XXXX/IEC60749-40:2011
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
本文件是GB/T4937半导体器件机械和气候试验方法系列标准的第40部分。GB/T4937已经发布了以下部分:
——第1部分:总则;
——第2部分:低气压;
——第3部分:外部目检;
——第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST);
——第11部分:快速温度变化双液槽法;
——第12部分:扫频振动;
——第13部分:盐雾;
——第14部分:引出端强度(引线牢固性);
——第15部分:通孔安装器件的耐焊接热;
——第17部分:中子辐照;
——第18部分:电离辐射(总剂量);
——第19部分:芯片剪切强度;
——第20部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响;
——第20-1部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输;
——第21部分:可焊性;
——第22部分:键合强度;
——第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理。
本文件等同采用IEC60749-40:2011《半导体器件机械和气候试验方法第40部分:采用应变仪的板级跌落试验方法》。
为便于使用,本文件做了下列编辑性修改:
a)用小数点“.”代替作为小数点的逗号“,”;
b)删除国际标准的前言;
为便于使用,本文件做了下列技术性修改:
a)第7章增加了“g)中间测试规定(见5.7)”,后续编号顺延,与IEC60749-40:2011对照见附录C;
b)A.3.4.1“安装位置如图A.2所示”改为“安装位置如图2所示”;
c)A.3.4.4中增加了对图A.2“应变波形和菊花链电导率”的相应描述:“进行跌落试验时使用的应变测试装置应具有150kHz以上的采样率,应变波形和菊花链电导率如图A.2所示”;
d)公式B.1中的文字改为符号,并对符号代表的含义进行了说明。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
II
GB/T4937.40—XXXX/IEC60749-40:2011
本文件起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所、河北工诺检测技术有限公司、深圳市金泰克半导体有限公司、合肥德宽信息技术有限责任公司、广州海关技术中心、安徽高芯众科半导体有限公司、湖北华远检测技术有限公司。
本文件主要起草人:赵海龙、聂丛伟、李创锋、彭浩、高东阳、张魁、尹丽晶、冉红雷、王英程、李敏、顾小平、黄伟、辛长林、宁仁祥、唐力、朱玉珂。
III
GB/T4937.40—XXXX/IEC60749-40:2011
引言
半导体器件是电子行业产业链中的通用基础产品,为电子系统中的最基本单元,GB/T4937半导体器件机械和气候试验方法系列标准是半导体器件进行试验的基础性和通用性标准,对于评价和考核半导体器件的质量和可靠性起着重要作用。拟由44个部分构成。
——第1部分:总则;
——第2部分:低气压;
——第3部分:外部目检;
——第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST);
——第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验;
——第6部分:高温贮存;
——第7部分:内部水汽测量和其他残余气体分析;
——第8部分:密封;
——第9部分:标志耐久性;
——第10部分:机械冲击;
——第11部分:
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