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- 2025-05-10 发布于四川
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5.2霍尔传感器5.2.1霍尔传感器工作原理5.2.2霍尔元件的结构和基本电路5.2.3霍尔元件的主要特性参数5.2.4霍尔元件误差及补偿5.2.5霍尔式传感器的应用下一页返回
半导体薄片置于磁场中,当它的电流方向与磁场方向不一致时,半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势,这种现象称霍尔效应。产生的电动势称霍尔电势半导体薄片称霍尔元件
2霍尔电场强度3平衡状态1载流子受洛仑兹力5因为4电子运动平均速度
霍尔电势
霍尔常数上一页下一页返回霍尔常数大小取决于导体的载流子密度:1金属的自由电子密度太大,因而霍尔常数小,霍尔电势也小,2所以金属材料不宜制作霍尔元件。3霍尔电势与导体厚度d成反比:4为了提高霍尔电势值,霍尔元件制成薄片形状。5霍尔元件灵敏度(灵敏系数)6半导体中电子迁移率(电子定向运动平均速度)比空穴迁移率高,7因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件,8
霍尔元件
图(a)中,从矩形薄片半导体基片上的两个相互垂直方向侧面上,引出一对电极,其中1-1电极用于加控制电流,称控制电极。另一对2-2电极用于引出霍尔电势,称霍尔电势输出极。在基片外面用金属或陶瓷、环氧树脂等封装作为外壳。图(b)是霍尔元件通用的图形符号。图(c)所示,霍尔电极在基片上的位置及它的宽度对霍尔电势数值影响很大。通常霍尔电极位
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