半导体的导电性能.pptxVIP

2.1.4半导体材料导电特性

一半导体中的载流子

二本征半导体

三非本征半导体

四半导体中载流子的运动

五半导体的电学性质

h

价带

导带

Eg

自由电子

空穴

半导体中电子和空穴总是成对出现的

一半导体中的载流子

空穴下面能级上的电子可以跃迁到空穴上来,这相当于空穴向下跃迁。满带上带正电的空穴向下跃迁也是形成电流,

这称为空穴导电。

导带

价带

Eg

在外电场作用下

导带的自由电子在电场力的作用下会产生定向运动，形成电流，这称为电子导电。

半导体的导电

导带的电子导电和价带的空穴导电共同作用的结果

载流子：电荷的定向移动形成电流，电荷的自由粒子称为载流子。

自由电子—带负电

半导体中有两种导电的载流子

空穴—带正电

本征半导体——化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。（没有杂质和缺陷的半导体）。

01

本征半导体

02

本征晶体中各原子之间靠得很近，如硅晶中，面心立方结构，每个原子分别与周围的四个原子形成四面体，原子之间的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。

面心立方

硅晶体的空间排列共价键结构平面示意图

共价键性质

共价键上的两个电子同时受两个原子的约束，如果没有足够的能量，不易脱离轨道，没有自由电子，不导电。

当温度升高或受到光的照射时，有些电子获得足够的能量，从价带跃迁到导带，成为导带的自由电子，同时价带出现等数量的空穴，这种激发为本征激发，载流子主要来源于本征激发的半导体成为本征半导体。

1

2

一分为二

载流子的产生复合

合二为一

温度一定时，动态平衡状态

本征半导体

平衡时半导体内部的载流子成为——平衡载流子

自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。

本征半导体自由电子和空穴的数目是相等的

单位体积的电子数——电子浓度n0

单位体积的空穴数——空穴浓度p0

n0=p0

σ=n0qμn+n0qμp=n0q(μn+μp)

μn——电子迁移率

μp——空穴迁移率

导带中的电子数

单位能量内的量子态数

（状态密度）

温度T时，能量为E的量子态

被一个电子占据的几率

EC：导带底，导带电子最低能量

Ev：价带顶，价带电子最高能量

Eg：禁带宽度

Ef：费米能级，数值上等于处于热平衡状态时，系统增加一个电子所引起系统自由能的变化。费米能级处于禁带中

价带

导带

EC

Ev

Eg

Ef

如果：EC-EF》k0T

电子的波尔兹曼分布函数

空穴的波尔兹曼分布函数

实际半导体中：

价带

导带

EC

Ev

EF

导带底附近：E-EF》k0T——电子服从波尔兹曼分布

(1)导带中，所有量子态被电子占据的几率f(E)《1

(2)随着E增加，fB(E)下降，所以导带中的电子分布在导带底附近

价带顶附近：EF-E》k0T——空穴服从波尔兹曼分布

(1)价带中，所有量子态被空穴占据的几率1-f(E)《1

(2)随着E增加，1-f(E)增加，所以价带中的空穴分布在价带顶附近

=Nc

Nc：导带的有效状态密度，可以理解为把导带中的所

有状态都集中在导带底，它的状态密度认为是Nc。

导带中的电子数：

导带中的电子浓度：

空穴大多分布在价带顶附近

价带中的空穴浓度：

Nv：价带的有效状态密度，可以理解为把价带中的所

有状态都集中在价带电脑顶，它的状态密度认为是Nv。

本征半导体：n0=p0

价带

导带

EC

Ev

EF

一定的半导体材料，一定的温度下，n0p0一定，适用于本征半导体、杂质半导体。

本征半导体电子空穴成对出现，电子、空穴浓度相等，它们的浓度称本征载流子浓度ni

ni=n0=p0

结论：

ni与Eg关系密切，Eg越大，ni越小

ni与T关系密切，T越高，ni越大

1/T

ni

N型半导体

P型半导体

在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。

三