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光催化半导体材料的发展与改性技术

目录

内容综述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4

1.1研究背景与意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5

1.1.1环境污染问题．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．6

1.1.2能源危机挑战．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．8

1.2光催化技术概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．8

1.2.1光催化基本原理．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．11

1.2.2光催化反应类型．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．12

1.3光催化半导体材料发展历程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．13

1.4本文档研究内容与结构．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．14

光催化半导体材料基础．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．15

2.1半导体材料分类．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．16

2.1.1元素半导体．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．20

2.1.2化合物半导体．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．21

2.1.3混合半导体．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．22

2.2光催化半导体材料结构与性质．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．23

2.2.1能带结构与光吸收特性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．25

2.2.2表面态与电荷分离．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．26

2.2.3化学稳定性与热稳定性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．29

2.3常见光催化半导体材料介绍．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．31

2.3.1二氧化钛基材料．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．32

2.3.2锰族氧化物．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．34

2.3.3非金属掺杂半导体．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．35

2.3.4过渡金属硫化物．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．36

光催化半导体材料的制备方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．39

3.1化学气相沉积法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．41

3.2溶胶-凝胶法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．41

3.3水热/溶剂热法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．43

3.4微波辅助合成法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．44

3.5脉冲激光沉积法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．46

3.6自组装方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．48

光催化半导体材料的改性技术．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．49

4.1能带结构调控．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．50

4.1.1能带隙工程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．52

4.1.2表面能带调控．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．53

4.2比表面积与孔隙率优化．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．54

4.2.1形貌控制．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．57

4.2.2介孔结构构建．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．57

4.3掺杂改性．．．．．．