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基于标准CMOS工艺的EEPROM存储器：设计创新与测试验证

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息技术飞速发展的时代，集成电路技术作为现代电子产业的核心，不断推动着各类电子产品的创新与进步。标准CMOS（ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体）工艺凭借其独特的优势，成为了集成电路制造领域的主流技术。这种工艺将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上，构建出CMOS集成电路。它具有诸多显著优点，如功耗极低，在没有信号变化时，一个CMOS逻辑门中要么是NMOS导通要么是PMOS导通，静态功耗很低