铜基纳米线阵列构筑的锂负极及其性能提升研究.pdf

哈尔滨工业大学工程硕士学位论文

摘要

锂金属因其极低的氧化还原电位（-3.04Vvs标准氢电极）与无与伦比

的理论比容量（3860mAhg-1）有望成为下一代二次电池负极材料。然而，锂

枝晶的生长会刺穿电池隔膜导致内部短路，而锂金属的体积膨胀会造成固体

电解质膜（SEI）的破裂与生长，导致较差的库伦效率。本文在商业化铜基集

流体上设计了一种氮碳共掺杂的铜纳米线阵列，并结合绝缘聚合物涂层调控

锂的空间沉积位置，以达到抑制锂枝晶生长，提高锂金属负极电化学性能的

目的。本文主要工作如下：

为解决锂金属负极枝晶生长的问题，本文通过简单的溶液反应在铜箔表

面构建了金属有机框架（MOF）修饰的Cu(OH)2纳米线阵列，通过热处理及

电化学还原获得了一种氮碳共掺杂铜纳米线阵列修饰的三维集流体（N/C-Cu

NWs）。铜纳米线阵列可提供良好导电性和锂储存空间，促进快速的传荷动力

学；亲锂性含氮和含碳官能团能够均匀锂离子流并诱导锂离子在纳米线上的

成核。在1mAcm-2的电流密度下，N/C-CuNWs可稳定循环280次，平均库

伦效率为99.0%；对称电池在500小时稳定循环内始终保持较小极化（≤25

mV），显示了良好的循环稳定性。

为进一步改善锂金属负极的电化学性能，本文在上述工作基础上，将铜

箔基底更换为泡沫铜，采用刮涂法在泡沫铜（CF）骨架一侧表面涂覆PDMS

绝缘层，构建了一种复合结构三维集流体（N/C-CuwithPDMS）。三维泡沫铜

基底可提供更大的比表面积，而PDMS的绝缘性和低活性可有效抑制锂离子

在骨架表面的成核，而内部亲锂纳米线阵列则提供了大量活性成核位点，二

者发挥协同作用，引导锂离子在泡沫铜骨架内部的沉积，并抑制锂枝晶的生

长。在1mAcm-2的电流密度下，PDMS涂覆N/C-Cu可稳定循环400次，平

均库伦效率为98.5%；对称电池可稳定循环500小时以上，并保持约10mV

的低电压极化。

关键词：锂金属负极；锂枝晶；三维集流体；铜纳米线；氮碳共掺杂

I

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Abstract

Lithiummetal,withitsultrahightheoreticalspecificcapacity(3860mAhg-

1)andextremelylowelectrochemicalpotential(relativetothestandardhydrogen

electrodeat-3.04V),holdspromiseasthenext-generationanodematerialfor

rechargeablebatteries.However,thegrowthoflithiumdendritescanpuncturethe

batteryseparator,leadingtointernalshortcircuits,andthevolumeexpansionof

lithiummetalcancausetheruptureandgrowthofthesolidelectrolyteinterphase

(SEI),resultinginpoorCoulombicefficiency.Inthisstudy,anitrogen-carbonco-

dopedcoppernanowirearraywasdesignedoncommercialcoppercurrent

collectors,combinedwithaninsulatingpolymercoatingtoregulatethespatial

depositionoflithium,aimingtosup