超宽带耦合器与混频器的研究与设计.pdfVIP

摘要

随着智能通信，物联网，车载雷达等市场迅速发展，射频集成电路的超宽带

化成为一大设计热点。其中混频器与耦合器在射频收发系统中起着关键作用，在

保证电路总体性能的基础上提升其工作带宽是较为关键的问题。

首先，本文围绕定向耦合器与混频器简述其发展，介绍了相关性能指标，分

析了工作原理、常用的设计结构并总结相关优化措施。

其次，基于GaAs工艺，采用微带线与幅度均衡器相结合的结构设计了一款

无源定向耦合器，经测试后实现2-20GHz的频带，耦合度在-22dB到-19dB之间，

方向性在20dB左右。为进一步解决无源耦合器在低频段指标的限制，本文在

SiGeBiCMOS工艺下，基于π型电电与与源源电路，设计了一款超宽带双向定向耦

合器集成电路。探究了多种电路参数取值方案对插损、耦合度、方向性等指标的

影响，添加补偿电容以增强高频下隔离度，扩展工作带宽。增加衰减电阻优化线

性度。在高低温下结合各工艺角、蒙特卡洛仿真、电磁仿真验证电路。电路频带

范围0.01-20GHz，插损2.7-3.5dB，耦合度-9.2±1dB，方向性35-53dB@0.01-15

GHz,20-35dB@15-20GHz，输入1dB压缩点(Input1dBCompressionPoint,IP)7-

1dB

14dBm，输入三阶截断点(InputThird-orderInterceptPoint,IIP)16-23dBm，实现

3

了超宽带与高方向性。

随后，为了在实现超宽带的同时保证混频器的增益与线性度性能，本文在

SiGeBiCMOS工艺下，采用折叠结构设计了一款双平衡吉尔伯特单元下变频芯片。

折叠结构分离跨导级与开关级的偏置电流与电压，为晶体管提供更大的偏置电压

裕度，也为负载提供更高的取值范围，从而提高线性度与增益。分析了噪声的构

成并优化相关取值，讨论了不同本振驱动电压下的增益、噪声、线性度等性能的

表现，讨论了跨导级在不同偏置电流下线性度与增益的变化。在各工艺角与温度

仿真环境下验证电路，最终结合电磁仿真给出后仿结果：5-20GHz频带下，转换

增益7.3-9.5dB，IP在-2.5dBm，IIP在9dBm，噪声系数17.5dB,本振与射频

1dB3

端口隔离度28-40dB。片内还集成了电压模带隙基准源与本振输入处的限幅放大

器，允许-6dBm到6dBm的本振输入功率，实现超宽带与高集成度的下变频电路。

最后，将上述超宽带耦合器与混频器级联，设计了一款超宽带微波检测芯片。

耦合器的耦合端与隔离端分别采样前向波与反向波，再通过下变频器输出10MHz

的差分信号供后续检测。综合多种仿真数据给出后仿结果：频带0.01-20GHz，方

向性在0.01-15GHz为35-50dB，15-20GHz内为20-35dB，中频的耦合度0.9-2.3

dB，IP为1-8dBm，IIP为5-11dBm。芯片可用于发射功率与阻抗等的检测。

1dB3

关键词：定向耦合器，源源耦合器，混频器，吉尔伯特单元，超宽带

ABSTRACT

Withtherapiddevelopmentofintelligentcommunication,InternetofThings,

vehicleradarandothermarkets,theultra-widebandofRFintegratedcircuitshasbecome

adesignhotspot.MixerandcouplerplayakeyroleinRFtransceiversystem.Basedon

ensuringtheo