MMIC芯片宽带技术与大功率技术研究.pdf

摘要

微波单片集成电路具有体积小、批量生产成本低、可重复性和可靠性强等显著

优势，经过几十年的发展，已经成为了通信，国防，航空航天等领域不可缺少的支

柱。由于通信系统需要向高速率、高精度、高性能、多频带方向发展，使用微波单

片集成电路技术制造的通信收发机不可避免地要向工作带宽更宽、输出功率更大

的方向前进。因此，宽带技术与大功率技术成为了微波单片集成电路中亟待研究的

问题。射频开关、低噪声放大器和功率放大器是收发机前端的重要组成部分，它们

的性能表现在很大程度上影响了收发机的性能表现。

本文针对射频开关、低噪声放大器和功率放大器三个重要模块从宽带和大功

率两个角度展开研究，主要贡献如下：

针对微波单片集成电路中的大功率技术，本文基于WINPP15GaAspHEMT工

艺设计了一款Ka波段大功率单刀双掷开关，开关主体采用了并联型堆叠式的结构，

使开关的功率承受能力大大增加的同时拥有较低的插入损耗，流片后的测试结果

显示，该开关具有小于1.4dB的插入损耗以及高于32dBm的输入1dB压缩点，

是同频段同功率承受能力水平的开关中插入损耗表现名列前茅的开关。

针对微波单片集成电路中的宽带技术，本文基于SananPP15LNGaAspHEMT

工艺设计了一款6-18GHz宽带低噪声放大器，该放大器横跨C、X、Ku三个频段，

增益带宽较宽且带内增益平坦，达到了产品级的要求，并且其整个频段的噪声系数

均在1.3dB以下，除此之外，该LNA还具有高于15dBm的输出功率；基于Sanan

PP15LNGaAspHEMT工艺设计了一款2-20GHz宽带低噪声放大器，该放大器横

跨S、C、X、Ku四个频段，带内增益也十分平坦，带内噪声系数小于2.5dB。

针对宽带技术和大功率技术，本文基于WINNP15GaN工艺设计了一款6-18

GHz宽带高功率的功率放大器，该功率放大器的带宽较宽，且在带内具有高于41

dBm的饱和输出功率以及高于20%的功率附加效率，其带内的小信号增益也较为

平坦。

关键词：MMIC，宽带放大器，大功率SPDT开关，负反馈

ABSTRACT

Microwavemonolithicintegratedcircuithassignificantadvantagessuchassmall

size,lowcostofmassproduction,repeatabilityandhighreliability.Afterdecadesof

development,microwavemonolithicintegratedcircuithasbecomeanindispensablepillar

incommunication,nationaldefense,aerospaceandotherfields.Becausethe

communicationsystemneedstodeveloptowardsthedirectionofhighspeed,high

precision,highperformanceandmulti-frequencyband,thecommunicationtransceiver

manufacturedbymicrowavemonolithicintegratedcircuittechnologywillinevitably

advancetowardsthedirectionofwiderworkingbandwidthandhigheroutputpower.

Therefore,broadbandtechnologyandhighpowertechnologyhavebecomeanurgent

researchprobleminmicrowavemonolithiccircuits.RFswitch,lownoiseamplifierand

poweramplifier