基于SiP的大功率T_R组件关键技术研究.pdfVIP

摘要

相控阵雷达是现代高科技信息战的关键装备，而T/R组件是相控阵雷达的核

心部件，对整个雷达系统的性能指标有决定性的影响。随着现代雷达系统的发展，

对T/R组件提出了更高的要求，T/R组件朝着大功率、小型化、集成化和高可靠性

的方向发展。通过系统级封装（SiP）技术将多个器件集成在一个封装中，使T/R

组件更加小型化和集成化。本文基于SiP技术完成的主要研究有：

设计了一款8通道P波段T/R组件，该组件使用两块HTCC基板拼接，每块

基板有四路收发通道，尺寸为145mm×75mm×3mm，由13层HTCC生瓷片烧结

而成。发射通道使用两级功放级联，发射功率30W(脉冲波300W,10%占空比)，为

了使芯片在大功率输出时稳定地工作，提出了一种新型的微流道散热结构，仿真结

果显示，整体热耗散80W，微流道水流量20ml/s时，基板整体最高温度不超过60℃，

芯片的最高温度不超过70℃。为了对接收支路进行有效保护，设计了一款多级吸

收式限幅器，该限幅器的工作频段为220MHz~260MHz，仿真结果显示，电压驻波

比小于1.2，可以承受300W的脉冲功率。

8通道T/R组件的测试结果表明，该组件在80W热耗散时温度可稳定在70℃

以下，在220MHz~260MHz的工作频段内，接收增益为25.5dB，噪声系数小于4dB，

电压驻波比小于1.5。测试驱放的饱和输出功率不小于40dBm，带内增益35dB左

右，回波损耗优于11dB。

为了减小基板面积，增加生产加工过程中的良品率，设计了一款单通道大功率

T/R组件，为了使组件更加小型化和集成化，收发切换改用射频开关，并在接收支

路增加带通滤波器。将氧化铝陶瓷基板改为导热率更高的氮化铝陶瓷基板，并添加

散热板，使用自然散热。仿真表明，芯片最高温度稳定在70℃以下，可以保证系

统正常工作。

关键词：大功率，系统级封装，高温共烧陶瓷，微流道，T/R组件

ABSTRACT

Phasedarrayradaristhekeyequipmentofmodernhigh-techinformationwarfare,

andT/Rmoduleisthecorecomponentofphasedarrayradar,whichhasadecisive

influenceontheperformanceindexofthewholeradarsystem.Withthedevelopmentof

modernradarsystems,higherrequirementsareputforwardforT/Rmodule,which

developtowardhighpower,miniaturization,integrationandhighreliability.The

integrationofmultipledevicesinonepackagethroughsystemlevelpackaging(SiP)

technologymakesT/Rmodulemoreminiaturizedandintegrated.Themainstudies

completedinthisthesisbasedonSiPtechnologyare.

Designedan8-channelP-bandT/Rmodule,whichusestwoHTCCsubstrates

splicedtogether,eachwithfourtransceiverchannels,withdimensionsof145mm×75mm

×3mm,sinteredfrom13layersofHTCCrawceramictiles.Thetransmitchannelu