第九十课光探测预习用.ppt

*例5-2：照明灯自动控制电路K220V灯常闭CdS基本功能：根据自然光的情况决定是否开灯。基本结构：整流滤波电路；光敏电阻及继电器控制；触电开关执行电路。基本原理：光暗时，光敏电阻阻值很高，继电器关，灯亮；光亮时，光敏电阻阻值降低，继电器工作，灯关。第63页，共114页，星期日，2025年，2月5日光敏电阻实物图 *第64页，共114页，星期日，2025年，2月5日5.4.4 光敏二极管光敏（电）二极管是一种基于光伏效应的半导体光探测器。特点：体积小、灵敏度高、响应速度快。常见的光敏二极管：PN型、PIN型和雪崩型（APD）材料：硅、锗、砷化铟、锑化钢、砷化镓、碲镉汞等材料制作，但目前应用最多的还是硅光电二极管。 *第65页，共114页，星期日，2025年，2月5日光电二极管结构结构：PN结，金属电极，SiO2保护层； *光敏二极管在电路中的符号光敏二极管的结构图第66页，共114页，星期日，2025年，2月5日PN结 *内建电场方向第67页，共114页，星期日，2025年，2月5日PN结伏安特性零偏状态下，内建电场阻碍载流子的漂移，无净电流通过PN结。（光电池）正向偏置时，有较大的正向电流通过PN结。反向偏置时，没有光照时，PN结中反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。（光电二极管） *第68页，共114页，星期日，2025年，2月5日 *光敏二极管工作原理当光照射到光电二极管的光敏面上时，能量大于或等于带隙能量Eg的光子将激励价带上的电子吸收光子的能量而跃迁到导带上（受激吸收），产生电子-空穴对（称为光生载流子）。电子-空穴对在反向偏置的外电场作用下立即分开并在结区中向两端流动，从而在外电路中形成电流（光电流）。第69页，共114页，星期日，2025年，2月5日 *光敏二极管的工作特性光电特性光谱特性伏安特性温度特性时间响应和频率特性第70页，共114页，星期日，2025年，2月5日 *光敏二极管的光电特性光敏二极管的线性特征较好，饱和阈值高，适用于光度量。第71页，共114页，星期日，2025年，2月5日 *光敏二极管的光谱特性不同材料的光敏二极管，对不同波长光的灵敏度是不同的。第72页，共114页，星期日，2025年，2月5日光敏二极管的伏安特性在无辐射作用的情况下，PN结光敏二极管的正、反向特性与普通PN结二极管的特性一样。其I-V方程为： *I0为称为反向电流或暗电流。第73页，共114页，星期日，2025年，2月5日光敏二极管的伏安特性在光辐射的情况下，PN结光敏二极管上发生光伏效应，产生一个光电流Ip。其大小与入射光强成正比，方向与暗电流方向相同。此时的I-V方程为： *第74页，共114页，星期日，2025年，2月5日在光电技术中常通过重新定义电流与电压正方向，把特性曲线旋转成下面右图所示。重新定义的电流与电压的正方向均以PN结内建电场的方向相同的方向为正向。第75页，共114页，星期日，2025年，2月5日光敏二极管的温度特性 *光电二极管的温度特性主要是指反向饱和电流对温度的依赖性，暗电流对温度的变化非常敏感。第76页，共114页，星期日，2025年，2月5日光敏二极管的时间响应 *光敏二极管产生光电流的响应时间包括三个部分：1)耗尽区的光生载流子的渡越（漂移）时间τdr；2)耗尽区外产生的光生载流子向耗尽层运动的扩散时间τp；3)光敏二极管以及与其相关电路的RC时间常数τRC。第77页，共114页，星期日，2025年，2月5日光敏二极管的时间响应 *总的响应时间：一般的PN结光电二极管，漂移时间τdr为ns数量级；当负载电阻RL不大时，时间常数τRC也在ns量级；而扩散时间τp很长，约为100ns，是限制PN结光敏二极管时间响应和频率响应的主要因素。第78页，共114页，星期日，2025年，2月5日光敏二极管的时间响应 *提高时间响应→减小扩散时间τp扩展PN结区→PIN光敏二极管增高反向偏置电压→雪崩光敏二极管（APD）第79页，共114页，星期日，2025年，2月5日PIN光电二极管PIN光电二极管是在掺杂浓度很高的P型、N型半导体之间，加一层轻掺杂的N型材料，称为I（Intrinsic，本征的）层。由于是轻掺杂，电子浓度很低，经扩散后形成一个很宽的耗尽层，如图（a）所示。这样可以提高其响应速度和转换效率。结构示意图如图（b）所示。 *