五色时间延迟积分CCD图像传感器技术研究.pdf

摘要

多光谱时间延迟积分（TDI）CCD能有效提高航空探测和卫星遥感的弱信号探

测能力，并获得多谱段信息，但是传统正照式TDICCD量子效率低，且在强信号

条件下会出现弥散现象，会极大限制探测器的应用场景。

根据应用在中低轨推扫或摆扫遥感相机中关键的探测结构的技术要求，以正

照式四色TDICCD器件为基础，本文设计了新型背照式可探测450~900nm谱段、

高抗弥散能力、高量子效率、小像元结构的五色TDICCD图像传感器。论文的主

要研究工作包括以下四个方面：

1．依据横向抗弥散原理进行仿真与试验。参考正照式四色TDICCD图像传感

器的横向抗弥散结构，使用半导体器件仿真软件SilvacoTCAD的ATLAS仿真器

对不同掺杂浓度的硅所形成的抗弥散势垒高度进行仿真分析，流片并测得器件的

抗弥散能力最高可达200倍。

2．研究了背面减薄工艺。设计了苯并环丁烯（BCB）键合正面支撑片的实验，

探讨了高质量键合的工艺条件。通过调整与优化，当HNA各向同性腐蚀液中成分

的配比为HNO:HF:CHCOOH=5:1:8时，可获得较高的衬底腐蚀速率和腐蚀选择

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比，并与机械磨削减薄相结合，在高效去除硅衬底的同时消除了损伤层，提高了成

像质量。

3．研究了表面钝化技术。从场效应钝化与化学钝化两个方面进行低能离子注

入与激光退火和AlO原子层淀积的实验，得到最佳工艺条件。通过对比所制作的

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器件在暗背景下的暗电流密度以及结深，表明AlO原子层淀积对器件暗信号的抑

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制效果更好，结深也更浅，可提高短波长信号的量子效率。

4．采用单项工艺研究的结果进行正式器件的制作，并使用光电测试系统测试

了器件的主要光电性能参数。

主要依托于文中对抗弥散结构掺杂浓度的设计，以及AlO原子层淀积技术的

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研究，最终制得的正式器件的抗弥散能力可达200倍；暗电流密度约为4.5nA/cm；

整体光谱响应率高于30%，其中630~810nm的平均光谱响应率均超过90%；整体

量子效率在40%以上，且峰值量子效率高达84%。与具有100倍抗弥散、峰值量

子效率为45%的正照式四色TDICCD图像传感器相比得到了较大提升。

关键词：多光谱探测，CCD，抗弥散，背面减薄，表面钝化

ABSTRACT

Multi-spectraltime-delay-integration(TDI)CCDcaneffectivelyimprovetheweak

signaldetectionabilityofaerialdetectionandsatelliteremotesensing,andobtainmulti-

spectralinformation,butthequantumefficiencyoftraditionalforwardTDICCDislow,

andthebloomingphenomenonwillappearunderstrongsignalconditions,whichwill

greatlylimittheapplicationsceneofthedetector.

Accordingtothetechnicalrequirementsofthekeydetectionstructuresappliedin

themiddleandloworbitpushandswingremotesensingcameras,basedo