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第３７卷第３期大学物理实验Ｖｏｌ.３７Ｎｏ.３

２０２４年６月ＰＨＹＳＩＣＡＬＥＸＰＥＲＩＭＥＮＴＯＦＣＯＬＬＥＧＥＪｕｎ.２０２４

文章编号:１００７￣２９３４(２０２４)０３￣０００５￣０４

探究电表内阻对硅光电池特性实验的影响

１ꎬ２３４３∗２２ꎬ３

任青颖ꎬ赵海坤ꎬ庹忠曜ꎬ许杰ꎬ王萌ꎬ李卫

(１.南京邮电大学工程实验教学部ꎬ江苏南京２１００２３ꎻ２.南京邮电大学电子与光学工程学院、柔性电子(未来技术)

学院ꎬ江苏南京２１００２３ꎻ３.南京邮电大学集成电路科学与工程学院(产教融合学院)ꎬ江苏南京２１００２３ꎻ４.南京邮

电大学自动化学院、人工智能学院ꎬ江苏南京２１００２３)

摘要:硅光电池特性实验是应用电路实验手段ꎬ对待测的硅光电池的伏安特性进行研究ꎮ传统

的实验教学并没有充分考虑测量仪表的接法对硅光电池测量结果的影响ꎬ导致学生实际操作实验过程

中数据曲线不正常、效率偏低ꎮ本文给出了三种硅光电池负载测试的三种电路连接方式ꎬ深入对比分析

了不同的电表接法对于硅光电池测量结果的影响ꎮ学生通过对实验结果的数据处理分析与讨论ꎬ融汇

理解硅光电池测量实验的要点ꎬ本实验培养了学生分析问题和解决问题的能力ꎮ

关键词:光伏电池ꎻ伏安特性ꎻ实验教学

中图分类号:Ｇ６４２文献标志码:ＡＤＯＩ:１０.１４１３９/ｊ.ｃｎｋｉ.ｃｎ２２￣１２２８.２０２４.０３.００２

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硅光电池特性测量是“大学物理实验”中作试结果问题较多ꎮ本文对比几种不同的测量电

为半导体物理实验的重要组成之一ꎬ实验教学不路ꎬ引导学生通过测试电路设计过程深入理解硅

仅要培养学生实验过程中对于实验对象的正确理光电池的基本性能ꎬ加深学生对电表内阻带来系

解和分析能力ꎬ也要启发学生会根据实验对象的统误差的概念理解ꎬ进一步巩固学生所学专业知

[１￣３]

实际情况调整实验参数和操作方法ꎮ对于硅识ꎬ并最终正确理解并完成硅光电池的性能测定ꎮ

光电池的电性能参数的测定实验ꎬ均是需要先测

试待测硅光电池的伏安特性ꎬ再根据其测量结果１硅光电池原理

计算得到电池的其他性能参数ꎬ如短路电流、开路

电压、电池的最佳工作功率、填充因子和转换效１.１硅光电池工作原理

率ꎮ在实验过程中ꎬ由于硅光电池本身存在体电太阳能电池是一种将光能转化为电能的装

阻ꎬ电极与半导体材料的接触形成接触电阻ꎬ扩散置ꎬ其原理是光伏效应:光照射到半导体ＰＮ结上

层横向电阻ꎬ探针与片子的接触电阻等构成寄生时ꎬ由于ＰＮ结耗尽区存在着较强的内建电场ꎬ因

电阻ꎬ均以串联电阻(阻值１Ω)的形式体现在等而产生在耗尽区中的电子和空穴ꎬ在内建静电场

效电路中ꎮ电池表面加工过程的工艺及环境污的作用下ꎬ各向相反方向运动ꎬ离开耗尽区ꎬ结果

染、边缘刻蚀和体结构烧结引起的工艺误差、半导使Ｐ区电势升高ꎬＮ区电势降低ꎬＰＮ结两端形成

体晶体缺陷等原因带来的硅光电寄生电阻用旁路光生电动势ꎮ其中硅光电池是以硅半导体材料制

电阻(约为几千欧)来等效ꎮ这些串联电阻小且成的大面积ＰＮ结经串联、并联构成ꎬ是目前应用

旁路电阻较大ꎬ导致实际的实验测量过程中ꎬ如果最广的一类光伏电池ꎮ其结构一般是由Ｎ