B-O位缺陷诱导的NBT基陶瓷应变性能及电卡效应研究.pdfVIP

摘要

随着科学技术的发展，微位移驱动技术在微型机器人、精密仪器制造、激光加工和

生物医学研究等领域得到广泛的应用。钛酸铋钠(NaBiTiO，简称NBT)作为一种

0.50.53

弛豫铁电材料，具有ABO3结构，近年来在微位移驱动技术上备受研究者们的关注。它

不仅具有优异的铁电性能，而且其制备工艺简单，是最有希望代替铅基材料的无铅材料

之一。但是纯的NBT陶瓷相结构单一无法获得大应变小滞后，退极化温度较高无法实

现室温下的制冷。因此，本文以具有铁电相与弛豫相两相共存的0.74NBT-0.26ST陶瓷为

基体，通过Mn2+掺杂0.74NBT-0.26ST在陶瓷晶格中构造缺陷偶极子，利用缺陷偶极子

使畴翻转可逆、电场引发相变以及增强的电致伸缩效应三者共同作用下改善NBT陶瓷

的应变性能，同时，缺陷偶极子使畴翻转可逆可以提高极化强度进一步优化电卡性能。

XRD、TEM以及介温谱分析结果表明，NBST(1-x)Mnx陶瓷的相结构并没有发生改变，

相结构均为铁电相（FE）与弛豫相（RE）两相共存，且所有样品都具有弛豫行为不漏

电。另外，随着MnO含量的增加，陶瓷的晶粒尺寸呈现出一种先增大后减小的趋势，

当MnO含量为x=0.3mol.%时，陶瓷的晶粒尺寸达到了最大值为14.8±6.5。

NBST(1-x)Mnx陶瓷经过老化处理后的P-E曲线的线形更加束腰，Pmax仍然在x=0.3

mol.%时达到最大值，Pr同样出现不同程度的降低。表明适量MnO掺杂后经老化处理有

利于提高NBST(1-x)Mnx陶瓷的铁电性能。由于缺陷偶极子有钉扎畴壁的作用，NBST(1-

x)Mnx陶瓷经过老化处理后的J-E曲线的电流峰的形状从尖锐变为平缓。NBST(1-x)Mnx陶

瓷老化前在x=0.3mol.%时应变性能最优，在50kV/cm电场下的应变大小和滞后分别为

0.34%和69%，其应变大小主要是来源于电场引发相变。经过一年时间的老化处理后，

同样是在x=0.3mol.%时应变性能最优，在同一电场下应变大小提高至0.56%，同时滞后

降低至18.33%。当外加电场为60kV/cm，由于电场引发相变以及陶瓷中形成缺陷偶极

子使畴翻转可逆的共同作用下，x=0.3mol.%时陶瓷的应变大小和滞后分别为0.62%和

∗-1

10.9%，同时其逆压电系数33达到1033pmV。

所有样品老化前后由于温度变化导致的等温熵变∆S和绝热温变∆T的变化规律基本

一致，掺杂Mn2+后的所有样品老化前后出现∆S和∆T峰值对应的温度点几乎都降至室温

附近，实现了室温制冷。当掺杂Mn2+后的所有样品经过老化后，晶体结构中产生了缺陷

偶极子，在极化过程中，适当的缺陷会参与诱导局域偶极子或微畴的取向，加快偶极子

或微畴对电场的响应速度，增加偶极子的极化强度，导致绝热温变∆T增大，掺杂量为

x=0.1mol.%的陶瓷样品在30℃的∆T最大为1.51K。同时，∆S和∆T值与老化前相比均

出现增大趋势，由于随着MnO掺杂量的增加缺陷偶极子含量增多，∆S及∆T值变化越

大，在50kV/cm的电场强度下，当掺杂量为x=0.5mol.%时，∆T的最大值由老化前0.40

升高至1.01K。

关键词：(Na0.5Bi0.5)TiO3基陶瓷；缺陷偶极子；应变性能；电卡效应

Abstract

Withthedevelopmentofscienceandtechnology,micro-displacementdrivetechnologyhas

beenwidel