半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 编制说明.pdf

《半导体分立器件第8部分：场效应晶体管》

（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

1、任务来源

《半导体分立器件第8部分：场效应晶体管》是国家标准化管理委员会下达的2024年国

家标准复审修订计划项目，计划项目代号T-339。由中华人民共和国工业和信息

化部（电子）提出，全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口，主要承办单位：

中国电子技术标准化研究院，项目周期为16月。

2、制定背景

GB/T4586-1994《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》规定了场效应晶体管

的分类，最大额定值和主要电参数的项目、术语和定义以及电参数的测试方法。

GB/T4586-1994转化自IEC60748-8(1984）。随着半导体制造技术的发展及应用领域的扩展，

GB/T4586-1994的技术内容已不适用于当前场效应晶体管的性能表征和评测，需要根据当前

技术发展对本标准进行修订。国际电工委员会对IEC60748-8进行了修订，2021年发布了IEC

60748-8的3.1版。

中国电子技术标准化研究院牵头对GB/T4586-1994进行修订，修订依据为IEC

60748-8:2021。

3、工作过程

（1）起草阶段

项目立项后，牵头单位广泛征集起草单位，于2024年10月正式成立标准编制工作组，制

定标准研制具体实施计划与起草单位标准内容分工任务，推进开展收集和分析相关标准资料

等工作。

2024年11月-2025年5月，标准工作组组织国内场效应晶体管主要研制单位对IEC

60748-8:2021进行了翻译，依据IEC60748-8:2021的译文，结合我国国家标准编制的要求，

形成了标准征求意见稿，完善标准草案形成标准征求意见稿并编写了编制说明。

4、标准编制的主要成员单位及其所做的工作

本标准的主要承办单位为中国电子技术标准化研究院。

二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题

1、编制原则

本次修订，转化IEC60748-8:2021的技术内容，并依据我国国家标准的编制要求，对部

分内容进行编辑性修改。

2、主要内容及其确定依据

（1）调整标准的结构

GB/T4586-1994《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管》采用章节结构，分为

第I章、第II章等五个章，且无引用文件，标准的结构与当前国家标准编制要求不同。此次

修订，对标准结构按当前IEC和国家标准的要求进行了调整。

（2）术语和定义（场效应晶体管类型）的调整

调整了以下两种类型的定义：

1）耗尽型（常开）场效应晶体管

2）增强型（常断）场效应晶体管

删除了以下两种类型的定义：

1）三极场效应晶体管

2）四极场效应晶体管

增加了以下五种类型的定义：

1）单栅场效应晶体管

2）双栅场效应晶体管

3）肖特基势垒栅场效应晶体管

4）金属-半导体场效应晶体管（MESFET）

5）调制掺杂场效应晶体管

（3）术语和定义（通用术语）的调整

增加以下术语：

1）功能源区

2）功能漏区

3）沟道（绝缘栅场效应晶体管）

4）沟道（结栅场效应晶体管）

5）绝缘栅场效应晶体管（IGFET）的子沟道空间电荷区

功能区增加以下术语：

1）功能源区

2）功能漏区

3）沟道（绝缘栅场效应晶体管）

4）沟道（结栅场效应晶体管）

5）绝缘栅场效应晶体管（IGFET）的子沟道空间电荷区

将“场效应晶体管的栅区”细分为“绝缘栅场效应晶体管（IGFET）的栅区”和“结栅

场效应晶体管（JFET）的栅区”两个术语。

将“沟道”细分为“沟道（耗尽型绝缘栅场效应晶体管）”和“沟道（结栅场效应晶体

管）”两个术语。

删除“耗尽型工作”和“增强型工作”两个术语。

（4）与额定值和特性有关的术语

删除以下术语：

1）反向和正向

2）（增强型场效应晶体管的）阈值电压