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第二章之二晶体缺陷检测第1页，共37页，星期日，2025年，2月5日二、晶体缺陷检测（一）晶体缺陷检测的重要性（二）晶体缺陷的种类点缺陷——空位、间隙杂质原子（主要）线缺陷——位错（主要）面缺陷——堆垛层错、挛晶界、晶界等体缺陷——孔洞、夹杂物等半导体加工过程中的二次缺陷第2页，共37页，星期日，2025年，2月5日（1）点缺陷晶格中点缺陷常常是外来原子或杂质原子造成的。单晶硅中点缺陷包括：有意掺入电活性杂质（如P，B)控制电导率和导电类型氧，碳，硼杂质来源于气态生长、化学试剂、石英玻璃成为硅体内自间隙原子，并诱生出位错和层错等缺陷，影响晶体整体完整性、载流子浓度以及少子寿命，并容易导致器件漏电。重金属杂质（Fe,Cu,Ni,Au,Al,Co等)来源于硅片生长、加工（不锈钢）、清洗、金属电极制作过程影响载流子浓度和少子寿命，导致器件失效。第3页，共37页，星期日，2025年，2月5日（2）线缺陷——位错位错是半导体中最主要的缺陷。位错产生的根本原因是晶体内部应力的存在，例如在晶体制备、后热处理等过程中，由于不均匀的加热或冷却，晶体内部存在应力就可产生位错。除此之外，杂质原子引起位错。刃型位错后发生滑移。刃形位错形成示意图滑移面位错线刃型位错后发生滑移附加的原子或者受热不均第4页，共37页，星期日，2025年，2月5日位错形成的一系列透射电子显微镜照片第5页，共37页，星期日，2025年，2月5日（3）面缺陷a.堆垛层错：由位错的相关原子组成的多余原子面。螺型位错后发生堆垛堆垛层错通常在外延生长层中观察到。一般要求外延层中的层错密度小于102/cm2。第6页，共37页，星期日，2025年，2月5日b.挛晶：从同一个界面生长出两种不同方向晶体c.晶界：具有很大取向差别的晶块结合时产生一个硅圆柱锭的晶界挛晶第7页，共37页，星期日，2025年，2月5日（三）晶体缺陷检测方法1、点缺陷的检测电学性能测量——有意掺杂原子浓度的确定如：电阻率测量，霍尔效应测量，对应N型或P型掺杂浓度少子寿命测试——金属杂质分析二次离子质谱——金属杂质分析原子吸收光谱——金属杂质分析红外光谱吸收法——碳、氧杂质红外光谱：测量C、O、N杂质含量第8页，共37页，星期日，2025年，2月5日利用SIMS进行器件失效分析第9页，共37页，星期日，2025年，2月5日杂质C（替位）的最强红外吸收峰波长:16.4μm杂质O（间隙）的红外吸收峰波长：9.1μmC吸收最强吸收次强第10页，共37页，星期日，2025年，2月5日2、位错和层错的检测腐蚀＋金相显微镜观测（简单常用的方法）X射线衍射法（精确的方法）电子显微镜第11页，共37页，星期日，2025年，2月5日（1）检测基本原理在适宜的腐蚀剂中，晶体表面靠近位错附近的区域其腐蚀速度要比其它区域大，腐蚀一定时间后就会形成凹下的坑，即所谓腐蚀坑，利用这个特性可进行位错和层错的显示。2.1腐蚀金相观察法由于位错是一种线缺陷，晶格畸变是沿着一条线延伸下来的，贯穿于整个晶体，终止在表面或形成闭环，因此在表面的交点是一个点状小区域.第12页，共37页，星期日，2025年，2月5日(100)硅片表面的位错(111)硅片表面的位错（111）面（100）面（110）面蚀坑是一倒置正四面体（三角锥体）蚀坑是一倒置四棱锥体，从表面看呈实心正方形蚀坑为两个对顶三角锥体（2）位错与层错的腐蚀坑观察第13页，共37页，星期日，2025年，2月5日位错密度是垂直于位错线单位截面积中穿过的位错线数。多点平均法。图2.21五点平均图2.22分区标图法（3）层错、位错密度的测量第14页，共37页，星期日，2025年，2月5日2.2X射线衍射法（XRD）在近完整晶体中，缺陷、畸变等体现在X射线谱中只有几十弧秒，而半导体材料进行外延生长要求晶格失配要达到10-4或更小。这样精细的要求使双晶X射线衍射技术成为近代光电子材料及器件研制的必备测量仪器，以双晶衍射技术为