模拟电路线性第3章场效应管.pptxVIP

3.2结型场效应管

3.3场效管应用原理

3.1MOS场效应管

第三章场效应管

场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。它比BJT体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。

场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。三极管Ri不高，在许多场合不能满足要求。

场效应管是单极型器件（三极管是双极型器件）。FET靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。三极管是两种载流子导电。

场效应管与三极管主要区别：后述。

概述

FET优点：输入电阻大（Ri107Ω～1012Ω）、噪音低、热稳定性好、抗辐射能力强、体积小、工艺简单，便于集成，因此应用广泛。

主要用于高输入阻抗放大器的输入级。

场效应管：压控电流源器件（ID=gmVGS）。

三极管：流控电流源器件（IC=IB）。

FET利用输入回路的电压（电场效应）来控制输出回路电流的器件，故此命名。

概述

3.1MOS场效应管

P沟道（P-EMOS）

N沟道（N-EMOS）

P沟道（P-DMOS）

N沟道（N-DMOS）

MOSFET

增强型（E）

耗尽型（D）

N-MOS管与P-MOS管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此，导致加在各极上的电压极性相反。

JFET

结型

N沟道

P沟道

N-JFET

P-JFET

分类：

金属氧化物场效应管（IGFET绝缘栅型）

N

+

N

+

P

+

P

+

P

U

S

G

D

3.1.1N沟道增强型MOS场效应管

N-EMOSFET结构示意图

源极

漏极

衬底极

SiO2

绝缘层

金属栅极

P型硅

衬底

S

G

U

D

电路符号

l

沟道长度

W

沟道宽度

MOS管外部工作条件:两个PN结反偏。N-EMOS管为：

VDS0(保证栅漏PN结反偏)。

U接电路最低电位或与S极相连(保证源衬PN结反偏)。

VGS0(形成导电沟道)。

由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管(M-O-S)。

栅极有SiO2绝缘层，或简称I-G-FET场效应管。

3.1绝缘栅型场效应管（MOS管）

3.1.1N沟道增强型（EMOS）管

说明

①MOS管衬底一般与源极相连使用；

②栅极和衬底间形成电容。

一.工作原理

1、沟道形成原理。(1)设VDS=0，当VGS=0时，iD=0。图(a)

栅衬之间相当于以SiO2为介质的平板电容器。

(2)当VGS0时，VGS对沟道导电能力的控制作用。图(b)

若VGS0（正栅源电压）

耗尽层，如图(b)所示。

(3)开启电压VGS(th)：使沟道刚刚形成的栅源电压。

VGS

反型层加厚

沟道电阻变小。

当VGS

耗尽层加宽

反型层

N型导电沟道，

如图(C)所示。

反型层

VGS越大，反型层中n越多，导电能力越强。

2、当VGSVGS(th)且一定时，VDS对沟道导电能力iD的影响。图(d)

VDS

VGD

沟道变窄

若VGD=VGS(th)

预夹断

VDS

（假设VGSVGS(th)且保持不变）

讲P104

VDS

夹断区加长

预夹断前：

d—s间呈电阻特性

预夹断后：

VDGVGS(th)

iD几乎只由VGS决定，与VDS无关

恒流特性

VDS→ID基本维持不变。

若忽略CLME效应,则近似认为l不变(即Ron不变)。

因此，预夹断后：

3、若考虑沟道长度调制效应（CLME）

则VDS→沟道长度L略→→沟道电阻Ron略。

因此，VDS→ID略。

由上述分析可描绘出ID随VDS变化的关系曲线：

ID

VDS

0

VGS–VGS(th)

VGS一定

曲线形状类似三极管输出特性。

MOSFET工作原理：

利用半导体表面的电场效应，通过栅源电压VGS的变化，改变感生电荷的多少，从而改变（感生）导电沟道的宽窄，控制漏极电流ID。

MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电，故称单极型器件。

三极管中多子、少子同时参与导电，故称双极型器件（BJT）。

总图：N—EMOSFET工作原理

N-EMOS管

DMOS管

N-MOS管结构及符号

由于N-EMOS管栅极电流为零，故没有输入特性曲线。

共源组态特性曲线：

ID=f(VGS)

VDS=常数

转移特性：

ID=f(VDS)

VGS=常数

输出特性：

二、伏安特性

+

T

VDS

IG0

VGS

ID

+

-

-

转移特性与输出特性反映场效应管同一物理过程，它们之间可以相互转换。

（3-