激光技术第四章.pptxVIP

激光原理与技术第四章半导体激光器参考书：FUNDAMENTALSOFPHOTONICS

第四章、半导体激光器添加标题半导体激光器原理添加标题半导体激光器的基本结构添加标题半导体激光器的特性添加标题几种典型半导体激光器件添加标题半导体激光器的耦合封装添加标题半导体激光器的几种典型应用

半导体激光器的发明与发展国外概况]

半导体激光器的发展大致经历了三个阶段：同质结激光器、异质结激光器和量子阱结构激光器。在第一阶段，主要是对于半导体激光器基本理论概念的提出。1953年9月，美国的冯·纽曼（JohnVonNeumann）在他的一篇未发表的论文手稿中论述了在半导体中产生受激发射的可能性。EcsleNormaleSuperieure的PierreAigrain在布鲁塞尔的国际会议上，第一个公开发表了在半导体中得到相干光的观点。苏联列别捷夫研究所的Basov在1958年公开发表了在半导体中实现粒子数反转的理论论述，又于1961年公开发表了将载流子注入半导体PN结实现注入激光器的论述。1960年贝尔实验室的布莱和汤姆逊提出了用半导体的平行解理腔面作光反馈的谐振腔。1961年伯纳德（Bernard）与度拉夫格（Duraffourg）推导出了半导体有源介质实现粒子数反转的条件。

在上述理论的影响下，1962年，美国的四个实验室几乎同时宣布研制成功同质结GaAs半导体激光器。但它只能在液氮温度下脉冲工作，毫无实用价值。上述同质结构激光器经历5年的徘徊，1967年，用液相外延的方法制成单异质结激光器，实现了在室温下脉冲工作的半导体激光器。1970年，美国的贝尔实验室制成了双异质结半导体激光器,实现了室温连续工作。由于半导体激光器的诸多突出优点，之后，半导体激光器得到了迅猛发展。其发展速度之快、应用范围之广，是目前任何其他激光器所无法比拟的。

。

0102随着半导体激光器性能的不断改进，新的半导体激光材料将激光的波段范围的拓宽，半导体激光器在许多方面得到应用。最早进入实用的是波长为0.83~0.85μm。70年代末，在1.3um和1.55um得到损耗更小的单模光纤,长波长InGaAsP/InP系激光器也达到实用化。可见光半导体激光器受光信息处理技术的需求推动，也在70年代开始开发。量子阱技术使半导体激光器产生新的飞跃。随着分子束外延（MBE）和金属有机化合物化学气相淀积（MOCVD）技术的日渐成熟，可以生长出原子尺寸的薄层，使注入的载流子呈现量子效应，这种量子阱激光器与以前的体材料激光器相比，具有更优越的特性，如：阈值电流密度低、电光转换效率高、输出功率大等。并且，通过生长应变量子阱，使得生长非晶格匹配的外延材料得以实现，拓宽了激光器波长范围。量子阱技术的发展，推动了大功率半导体激光器的发展

1、半导体激光器原理半导体的能带结构…....…..…………....…..………....……..…。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。导带禁带价带N型半导体中电子参加导电P型半导体中空穴参加导电..…..……….……...EF费米能级

热激发过程当K0时

热平衡条件下，一个电子占据一个能量为E的能级的几率为：T为绝对温度，K为玻耳兹曼常数，EF为费米能级。如果 EEF 则?(E)1/2当 EF–E?KT ?(E)接近于1能级被电子填充如果 EEF 则?(E)1/2当 E–EF?KT ?(E)=e-(E-EF)/KT即波尔兹曼分布服从费米分布，载流子的统计分布

Fermi分布函数的图象Ef是任何温度下能级占据几率为1/2的能级；也是绝对零度下被占据能级和空能级之间的分界线

本征半导体中的载流子密度热平衡条件下，本征半导体中的电子和空穴总是成对产生：如果mc=mv，则Fermi能级恰好位于禁带的正中间

n型半导体中的载流子浓度施主能级ED略低于导带底，在常温下大多数施主电子热激发到了导带中

p型半导体中的载流子浓度受主能级EA略高于价带顶使价带中产生更多的空穴

P－N结的形成＋＋＋＋NPNP

直接禁带和间接禁带半导体价带极大值和导带极小值对应同一k值的半导体称为直接禁带材料(GaAs)不是上述情况的称为间接禁带材料(Si)对于间接禁带材料，价带顶和导带底之间的跃迁要改变电子的动量直接禁带材料发光效率高

半导体的受激发射条件1、粒子数反转2、谐振腔存在，且腔内增益大于损耗在导带和价带中能级被电子占有的几率服从费米分布：?c(E)=1/1+e（E-(EF)n）/KT?v(E)=1/1+e