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倾斜溅射与Nd掺杂协同调控CoZr薄膜高频软磁性能的机制探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息化时代，电子设备的发展趋势呈现出小型化、高频化以及集成化的显著特点，这对电子器件的性能提出了极为严苛的要求。作为电子器件的关键基础材料，高频软磁薄膜的性能优劣直接影响着电子器件的整体性能。随着5G通信、物联网、人工智能等新兴技术的迅猛发展，对高频软磁薄膜在高频下的磁导率、饱和磁化强度、矫顽力以及电阻率等性能指标的要求日益提高。

在众多高频软磁薄膜材料中，CoZr薄膜因其独特的优势而备受关注。CoZr合金具有非晶特性，这使得它易于获得优异的软磁性能，在集成电路的吸波/滤波等领域有着广泛的应用前景。例如，在射频电路中，CoZr薄膜可用于制作电感、变压器等磁性元件，能够有效提高电路的性能和集成度。然而，为了进一步满足不断发展的电子技术需求，对CoZr薄膜的性能进行优化和调控显得尤为重要。

倾斜溅射作为一种特殊的薄膜制备工艺，能够对薄膜的微观结构和性能产生显著影响。在溅射过程中，原子或分子的入射角度发生改变，导致薄膜的生长方式和微观结构不同于常规溅射方法制备的薄膜。研究表明，倾斜溅射可以使薄膜中的柱状晶倾斜生长，从而产生更高的面内各向异性场。这种面内各向异性场的增加对于提高薄膜的高频性能具有重要意义，因为它可以有效地抑制磁晶各向异性场，增强Co颗粒之间的交换耦合，进而提高薄膜的共振频率和磁导率。此外，倾斜溅射还可以改变薄膜的表面形貌和粗糙度，影响薄膜与衬底之间的界面结合力，这些因素都会对薄膜的软磁性能产生综合影响。

稀土元素Nd具有独特的电子结构和物理性质，其掺杂对CoZr薄膜的性能也有着重要的调控作用。Nd元素具有强的自旋-轨道耦合，以合金化的形式添加到CoZr薄膜中，能够有效提高内禀阻尼。高阻尼系数有助于快速的动态磁化翻转以及工作频率范围的展宽，这对于高频电磁器件的应用至关重要。例如，在磁记录头中，高阻尼可以使磁化状态快速切换，提高数据的读写速度；在高频磁传感器中，宽的工作频率范围可以提高传感器的响应速度和灵敏度。然而，Nd掺杂也可能会对薄膜的其他性能，如饱和磁化强度、矫顽力等产生影响，因此需要深入研究Nd掺杂对CoZr薄膜性能的影响规律，以实现对薄膜性能的精准调控。

综上所述，研究倾斜溅射和Nd掺杂对CoZr薄膜高频软磁性能的影响具有重要的理论和实际意义。通过深入探究这两种因素对薄膜性能的影响机制，可以为高频软磁薄膜材料的设计和制备提供理论依据，推动电子器件向更高性能、更小尺寸的方向发展，满足未来信息技术对电子器件的需求。

1.2国内外研究现状

近年来，随着电子器件向高频化、小型化和集成化方向发展，对高频软磁薄膜的性能要求不断提高，CoZr薄膜作为一种具有潜力的高频软磁材料，受到了广泛的研究关注。

在CoZr薄膜软磁性能的研究方面，众多学者致力于探究其微观结构与磁性能之间的关系。研究发现，CoZr薄膜的软磁性能与其非晶结构密切相关，非晶态的CoZr合金能够有效抑制磁晶各向异性，从而获得优异的软磁性能。例如，通过射频磁控溅射法制备的CoZr薄膜，在合适的溅射条件下，能够形成均匀的非晶结构，表现出低矫顽力和高磁导率的特性。此外，薄膜的厚度、生长速率以及衬底温度等因素也会对其软磁性能产生显著影响。有研究表明，随着薄膜厚度的增加，矫顽力会逐渐增大，而磁导率则会先增大后减小，这是由于薄膜厚度的变化会影响其内部应力分布和微观结构的均匀性。

在倾斜溅射对CoZr薄膜性能影响的研究中，不少学者发现，倾斜溅射可以改变薄膜的微观结构，使其柱状晶倾斜生长，从而产生面内各向异性场。这种面内各向异性场的增加有助于提高薄膜的高频性能。如采用倾斜溅射制备的CoZr薄膜，其面内各向异性场显著提高，共振频率也得到了有效提升，这是因为倾斜溅射导致原子沉积角度的改变，使得薄膜内部的原子排列更加有序，增强了磁各向异性。然而，目前对于倾斜溅射过程中原子沉积的精确机制以及面内各向异性场与薄膜微观结构之间的定量关系，仍缺乏深入系统的研究。不同的实验条件下，倾斜溅射对薄膜性能的影响存在较大差异，这使得在实际应用中难以准确调控薄膜的性能。

关于Nd掺杂对CoZr薄膜性能的影响，已有研究表明，Nd掺杂能够有效提高CoZr薄膜的内禀阻尼。由于Nd元素具有强的自旋-轨道耦合，以合金化的形式添加到CoZr薄膜中，能够增强自旋-轨道相互作用，从而提高内禀阻尼。如通过复合靶磁控溅射将Nd元素引入CoZr薄膜中，发现随着Nd含量的升高，薄膜的阻尼系数显著增强，这对于高频电磁器件中快速的动态磁化翻转以及工作频率范围的展宽具有重要意义。