第二章 缺陷物理与性能.ppt

刃位错的运动方式——滑移第29页，共49页，星期日，2025年，2月5日螺位错的运动方式——滑移螺型位错的运动滑移过程中，原子滑移方向与外加应力方向相同，而与位错线运动方向垂直第30页，共49页，星期日，2025年，2月5日刃位错的运动螺位错的运动位错滑移对比：刃位错滑移过程中，原子的滑移方向、位错线的运动方向和外加应力方向三者是平行的；螺位错滑移过程中，原子滑移方向与外加应力方向相同，而与位错线运动方向垂直第31页，共49页，星期日，2025年，2月5日位错的运动方式——攀移刃型位错可以在滑移面内运动，也可以垂直于滑移面运动，这后一种运动称为位错的“攀移”。由于螺型位错没有附加的半原子平面，因此不能直接攀移。第32页，共49页，星期日，2025年，2月5日刃位错攀移示意图

（a）正攀移（半原子面缩短）(b)未攀移（c）负攀移（半原子面伸长）第33页，共49页，星期日，2025年，2月5日位错的弹性性质——位错的应力场与应变能理论基础：连续弹性介质模型假设：1.完全服从虎克定律，即不存在塑性变形；2.各向同性；3.连续介质，不存在结构间隙。位错的应力场:刃位错上面的原子处于压应力状态，为压应力场，刃位错下面的原子处于张应力状态，为张应力场。围绕一个螺位错的晶体圆柱体区域也有应力场存在。第34页，共49页，星期日，2025年，2月5日位错与物理性能位错与内耗位错与晶体生长扩散过程金属强度电学、光学性质范性变形位错第35页，共49页，星期日，2025年，2月5日第二章缺陷物理与性能第1页，共49页，星期日，2025年，2月5日缺陷的含义：晶体缺陷就是指实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域。理想晶体：质点严格按照空间点阵排列。实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。第2页，共49页，星期日，2025年，2月5日晶体非晶体第3页，共49页，星期日，2025年，2月5日晶体非晶体规则几何外形无定形确定的熔点各向异性各向同性无确定的熔点对X射线的衍射效应无对称性无晶体与非晶体的区别第4页，共49页，星期日，2025年，2月5日晶体缺陷的类型分类方式：几何形态：点缺陷、线缺陷、面缺陷等形成原因：热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷等第5页，共49页，星期日，2025年，2月5日缺陷分类根据晶体缺陷的几何形态特征，可将它们分为以下三类：①点缺陷特征是在三维方向上的尺寸都很小，约一个或几个原子间距，亦称为零维缺陷。例如空位、填隙原子、杂质原子等。②线缺陷特征是在两维方向上的尺寸很小，仅在另一维方向上的尺寸较大，亦称为一维缺陷。例如位错。③面缺陷特征是在两维方向上的尺寸较大，只在另一维方向上的尺寸很小，亦称为二维缺陷。例如晶体表面、晶界、相界和堆垛层错等。第6页，共49页，星期日，2025年，2月5日一点缺陷根据点缺陷的形成机理，晶体中的点缺陷可以分为热缺陷和杂质缺陷两种。热缺陷的三种形式：图2.1弗伦克尔缺陷图2.2肖脱基缺陷图2.3只有填隙原子第7页，共49页，星期日，2025年，2月5日一点缺陷第8页，共49页，星期日，2025年，2月5日离子晶体的点缺陷结构特点：正、负离子相间排列在格点上，尺寸较小的离子一般是正离子。缺陷导致电导率增加一点缺陷第9页，共49页，星期日，2025年，2月5日离子晶体的点缺陷第10页，共49页，星期日，2025年，2月5日第11页，共49页，星期日，2025年，2月5日点缺陷与材料性能1）填隙原子和肖脱基缺陷可以引起晶体密度的变化，弗伦克尔缺陷不会引起晶体密度的变化理论计算结果表明，填隙原子引起的体膨胀为1～2个原子体积，而空位的体膨胀则约为0.5个原子体积。金属晶体中出现空位，将使其体积膨胀、密度下降。第12页，共49页，星期日，2025年，2月5日2）点缺陷可以引起晶体电导性能的变化点缺陷破坏了原子的规则排列，使传导电子受到散射，产生附加电阻。附加电阻的大小与点缺陷浓度成正比，因而可用来标志点缺陷浓度。从附加电阻和温度的关系可以确定空位的形成能。测量方法：一种是直接在高温测量电阻对温度的曲线，曲线上的异常部分就是由于空位的影响造成的；另一种方法是将样品淬火，使金属快速冷却，过饱和的空位就被冻结，这时就可以在室温下对不同淬火温度后的样品进行电阻的测量，测量结果也可以