第2章电力电子器件.pptVIP

共射极电路的输出特性曲线第61页，共109页，星期日，2025年，2月5日2、GTR的动态（开关）特性晶体管有线性和开关两种工作方式。当只需要导通和关断作用时采用开关工作方式。GTR主要应用于开关工作方式。在开关工作方式下，用一定的正向基极电流IB1去驱动GTR导通，而用另一反向基极电流IB2迫使GTR关断，由于GTR不是理想开关，故在开关过程中总存在着一定的延时和存储时间。第62页，共109页，星期日，2025年，2月5日GTR的开关响应特性延迟时间td：加入IB1后一段时间里，iC仍保持为截止状态时的很小电流，直到iC上升到0.1ICS。上升时间tr：iC不断上升，直到iC=ICS，GTR进入饱和状态。tr指iC从0.1ICS上升到0.9ICS所需要的时间。GTR的开通时间ton：延迟时间td和上升时间tr之和。即ton=td+tr第63页，共109页，星期日，2025年，2月5日当基极电流突然从正向IB1变为反向IB2时，GTR的集电极电流iC并不立即减小，仍保持ICS，要经过一段时间才下降。存储时间ts：把基极电流从正向IB1变为反向IB2时到iC下降到0.9ICS所需的时间。下降时间tf：iC从0.9ICS下降到0.1ICS所需的时间。此后，iC继续下降，一直到接近反向饱和电流为止，这时BJT完全恢复到截止状态。BJT的关断时间toff：存储时间ts和下降时间tf之和，即toff=ts+tf第64页，共109页，星期日，2025年，2月5日3、GTR的主要参数(简介)(1)电压参数电压参数体现了GTR的耐压能力(2)集电极电流额定值(3)最大耗散功率(4)直流电流增益(5)开关频率(6)最高结温额定值第65页，共109页，星期日，2025年，2月5日1.5功率场效应晶体管功率场效应晶体管（P-MOSFET）特点是：电压全控型器件、控制极静态内阻极高、驱动功率很小、工作频率高、热稳定性优良、无二次击穿、安全工作区宽等。但电流容量小、耐压低、功率小。常用于中小功率开关电路中。根据导电沟道的类型可分为N沟道和P沟道两类；根据零栅压时器件的导电状态分为耗尽型和增强型两类。第66页，共109页，星期日，2025年，2月5日1.5.1P-MOSFET的结构和工作原理

1、P-MOSFET的结构P-MOSFET和小功率MOS管导电机理相同，结构上不同。小功率MOS管的栅极G、源极S和漏极D在芯片的同一侧。而P-MOSFET采用立式结构，栅极G、源极S和漏极D不在芯片的同一侧。功率场效应管的导电沟道分为N沟道和P沟道，栅偏压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型，栅偏压大于零（N沟道）才存在导电沟道的称为增强型。下图是P-MOSFET的结构示意图和电气图形符号。第67页，共109页，星期日，2025年，2月5日P-MOSFET的结构示意图P-MOSFET的电气符号第68页，共109页，星期日，2025年，2月5日第69页，共109页，星期日，2025年，2月5日第70页，共109页，星期日，2025年，2月5日第71页，共109页，星期日，2025年，2月5日下图是P-MOSFET的电气图形符号，图a表示N沟道功率场效应管，电子流出源极；图b表示P沟道功率场效应管，空穴流入源极。从结构上看，P-MOSFET还含有一个寄生二极管，该寄生二极管的阳极和阴极就是功率MOSFET的S极和D极，它是与MOSFET不可分割的整体，使P-MOSFET无反向阻断能力。图中所示虚线为寄生二极管。第72页，共109页，星期日，2025年，2月5日2、P-MOSFET的工作原理(1)栅源极电压UGS＝0时，栅极下的P型区表面呈现空穴堆积状态，不会出现反型层，无法沟通漏、源极。此时，即使在漏源之间施加电压，MOS管也不会导通。如图a所示。(2)当栅源极电压UGS＞0且不够充分时，栅极下面的P型区表面呈现耗尽状态，还是无法沟通漏源，此时MOS管仍保持关断状态。如图b所示。(3)当栅源极电压UGS达到或超过一定值时，栅极下面的硅表面从P型反型成N型，形成N型沟道把源区和漏区联系起来，把漏源沟通，使MOS管进入导通状态。如图c所示。第73页，共109页，星期日，2025年，2月5日1.5.2P-MOSFET的特性和参数(简介)1、转移特性转移特性是指在输出特性的饱和区内，UDS维持不变时，UGS与ID之间的关系曲线，如右图所示。