第3章电阻应变片式传感器.pptVIP

式中,C1、C2表示应变片引线分布电容。每一桥臂上复阻抗分别为现具体说明：设交流电桥如图3-9（b)所示第29页，共76页，星期日，2025年，2月5日交流电桥输出：电桥平衡条件：Uo=0，即Z1Z4=Z2Z3整理可得第30页，共76页，星期日，2025年，2月5日变形为：交流电桥的平衡条件（实部、虚部分别相等）：由此可见，对如图3-9（b)所示交流电桥，除要满足电阻平衡条件外，还必须满足电容平衡条件，所以在桥路上除设有电阻平衡调节外，还要设置电容平衡调节，常见平衡调节电路如图3.10所示。第31页，共76页，星期日，2025年，2月5日(a)串联法(b)并联法(c)差动法(d)阻容法图3-10交流电桥平衡调节第32页，共76页，星期日，2025年，2月5日平衡调节方法：串联电阻法：3.10(a)中R5由下式确定，式中分别为R1与R2和R3与R4的偏差。并联电阻法：3.10图(b)中调节R5可改变桥臂AD和CD得阻值比，使电桥满足平衡条件。可调平衡范围取决于R6的值。R6愈小，可调范围愈大，但测量误差也愈大。因此在保证精度的前提下要选得小些。R5可采用与R6相同的阻值。R6可按下式确定：第33页，共76页，星期日，2025年，2月5日差动电容法：图3.10(C)中C3和C4为同轴差动电容，调节时两电容变化大小相等，极性相反，以此调整电容平衡。阻容调平法：图3.10(d)中接入的T型RC阻容电路起到预调平作用。注意：在同时具有电阻和电容调平装置进行阻抗调平过程中，两者应不断交替调整，才能取得满意的平衡结果。第34页，共76页，星期日，2025年，2月5日当被测应力变化引起Z1=Z10+ΔZ,Z2=Z20－ΔZ变化时（Z10=Z20=Z0），则电桥输出为第35页，共76页，星期日，2025年，2月5日用应变片组成的交流电桥，与直流电桥一样也有半桥、全桥的形式，具体分析方法与直流电桥分析方法一样。第36页，共76页，星期日，2025年，2月5日四压阻式传感器金属电阻应变片性能稳定，精度较高，但应变灵敏系数较小，半导体应变片可以改善这一不足。半导体应变片的灵敏系数比金属丝式高50～80倍，但半导体材料的温度系数大，应变时非线性比较严重，使它的应用范围受到一定的限制，用半导体应变片制作的传感器称为压阻式传感器。第37页，共76页，星期日，2025年，2月5日1.压阻效应：半导体材料受到压力后，其电阻率发生明显变化，此现象称为压阻效应。2.半导体应变片的灵敏系数当半导体材料受力变形后，其电阻的变化率为：式中：π——半导体材料的压阻系数σ——半导体材料的所受应变力E——半导体材料的弹性模量ε——半导体材料的应变第38页，共76页，星期日，2025年，2月5日所以当半导体应变片受轴向力作用时，其电阻相对变化可写为：实验表明，πE比1+2μ大上百倍，所以1+2μ可以忽略，半导体材料的压阻系数，因而半导体应变片的灵敏系数为：第39页，共76页，星期日，2025年，2月5日3.半导体应变片的结构第40页，共76页，星期日，2025年，2月5日4.压阻式传感器的结构与测量电路和金属应变片的测量电路相同第41页，共76页，星期日，2025年，2月5日一.应变片的温度误差由于测量现场环境温度的改变而给测量带来的附加误差，称为应变片的温度误差。产生应变片温度误差的主要因素有如下两个方面：1.电阻温度系数的影响敏感栅的电阻丝阻值随温度变化的关系可用下式表示：Rt=R0(1+α0Δt)3.3应变片的温度误差及补偿第42页，共76页，星期日，2025年，2月5日式中:Rt——温度为t时的电阻值；R0——温度为t0时的电阻值；α0——温度为t0时金属丝的电阻温度系数；Δt——温度变化值，Δt=t-t0。当温度变化Δt时，电阻丝电阻的变化值为：ΔRα=Rt-R0=R0α0Δt第43页，共76页，星期日，2025年，2月5日当试件与电阻丝材料的线膨胀系数相同时：环境温度变化不会产生附加变形。当试件与电阻丝材料的线膨胀系数不同时：环境温度变化，电阻丝会产生附加变形，从而产生附加电阻变化。设电阻丝和试件在温度为0℃时的长度均为l0,它们的线膨胀系数分别为βs和βg，若两者不粘