第四章化学气相沉积.pptVIP

化学气相沉积

工艺及设备*第29页，共60页，星期日，2025年，2月5日CVD设备的心脏，在于其用以进行反应沉积的“反应器”。CVD反应器的种类，依其不同的应用与设计难以尽数。以CVD的操作压力来区分，CVD基本上可以分为常压与低压两种。若以反应器的结构来分类，则可以分为水平式、直立式、直桶式、管状式烘盘式及连续式等。若以反应器器壁的温度控制来评断，也可以分为热壁式（hotwall）与冷壁式（coldwall）两种。若考虑CVD的能量来源及所使用的反应气体种类，我们也可以将CVD反应器进一步划分为等离子增强CVD(plasmaenhancedCVD，或PECVD)，TEOS-CVD，及有机金属CVD(metal-organicCVD，MOCVD)等。*第30页，共60页，星期日，2025年，2月5日APCVD所谓的APCVD，顾名思义，就是在压力接近常压下进行CVD反应的一种沉积方式。由于半导体器件制造时纯度要求高，所有反应器都是用纯石英作为反应器的容器，用高纯石墨作为基底，易于射频感应加热或红外线加热。这些装置最主要用于SiCl4氢还原在单晶硅片衬底上生长几微米厚的外延层。所谓外延层就是指与衬底单晶的晶格相同排列方式增加了若干晶体排列层，也可以用晶格常数相近的其他衬底材料来生长硅外延层。这样的外延称为异质外延。APCVD的操作压力接近1atm(101325Pa)，按照气体分子的平均自由径来推断，此时的气体分子间碰撞频率很高，是属于均匀成核的“气相反应”很容易发生，而产生微粒。*第31页，共60页，星期日，2025年，2月5日低压CVD的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作能力，降低到大约100Torr(1Torr=133.332Pa)一下的一种CVD反应。利用在低压下进行反应的特点，以LPCVD法来沉积的薄膜，将具备较佳的阶梯覆盖能力。且因为气体分子间的碰撞频率下降，使气相沉积反应在LPCVD中变得比较不显著（尤其是当反应进行时，是在表面反应限制的温度范围内）。但是也因为气体分子间的碰撞频率较低，使得LPCVD法的薄膜沉积速率比较慢一些。LPCVD*第32页，共60页，星期日，2025年，2月5日在低真空的条件下，利用硅烷气体、氮气（或氨气）和氧化亚氮，通过射频电场而产生辉光放电形成等离子体，以增强化学反应，从而降低沉积温度，可在常温至350℃条件下，沉积氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅及非晶硅膜等。在辉光放电的低温等离子体内，“电子气”的温度约比普通气体分子的平均温度高10～100倍，即当反应气体接近环境温度时，电子的能量足以使气体分子键断裂并导致化学活性粒子（活化分子、离子、原子等基团）的产生，使本来需要在高温下进行的化学反应由于反应气体的电激活而在相当低的温度下即可进行，也就是反应气体的化学键在低温下就可以被打开。所产生的活化分子、原子集团之间的相互反应最终沉积生成薄膜。把这种过程称之为等离子增强的化学气相沉积PCVD或PECVD，称为等离子体化学气相沉积。PECVD*第33页，共60页，星期日，2025年，2月5日在MOCVD过程中，金属有机源（MO源）可以在热解或光解作用下，在较低温度沉积出相应的各种无机材料，如金属、氧化物、氮化物、氟化物、碳化物和化合物半导体材料等的薄膜。如今，利用MOCVD技术不但可以改变材料的表面性能，而且可以直接构成复杂的表面结构，创造出新的功能材料。MOCVDMOCVD常压MOCVD低压MOCVD原子层外延（ALE）激光MOCVD*第34页，共60页，星期日，2025年，2月5日激光化学沉积就是用激光（CO2或准分子）诱导促进化学气相沉积。激光化学气相沉积的过程是激光分子与反应气分子或衬材表面分子相互作用的工程。按激光作用的机制可分为激光热解沉积和激光光解沉积两种。激光热解沉积用波长长的激光进行，如CO2激光、YAG激光、Ar+激光等，一般激光器能量较高、激光光解沉积要求光子有大的能量，用短波长激光，如紫外、超紫外激光进行，如准分子XeCl、ArF等激光器。LCVD*第35页，共60页，星期日，2025年，2月5日化学气相沉积生产装置气相反应室加热系统气体控制系统排气系统CVD装置*第36页，共60页，星期日，2025年，2月5日卧式反应器可以用于硅外延生长，装置3～4片衬底常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置*第37页，共60页，星期日，2025年，2月5日立式反应器可以用于硅外延生长，装置6～8片衬底/次常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置*第38页，共60页，星期日，2025年，2月5日桶式反应器可以用于硅外延生长，装置24～30片衬底/次