微纳集成电路制造工艺教学课件第5章离子注入工艺(1).pptxVIP

微纳集成电路制造工艺Micro-nanoscaleIntegratedCircuitFabricationProcess西安电子科技大学集成电路学部微电子学院戴显英“集”“微”成著·用“芯”圆梦

第五章离子注入（一）Chapter5IonImplantation西安电子科技大学微电子学院戴显英2024.04.03

1、对扩散工艺特性表述正确的是（）。扩散是低温工艺扩散是高温工艺扩散工艺的浓度分布是均匀分布的扩散工艺的浓度分布是梯度分布的ABCD提交多选题1分

第五章离子注入扩散工艺的技术特征与局限性IonImplantation扩散工艺技术特征：高温工艺：与氧化工艺温度相同，常与氧化同时进行扩散的掩膜：耐高温的热氧化SiO2薄膜扩散机理：替位式扩散和间隙扩散掺杂浓度分布：不均匀的梯度分布，表面浓度最高恒定表面源扩散：余误差分布有限表面源扩散：高斯分布实际扩散工艺：两步扩散-预淀积和再分布离子注入与扩散的学习与掌握：对比两者的工艺技术特征！扩散工艺的局限性：不能独立控制浓度和结深：浓度与结深相关横向扩散严重：不能用于3μm以下工艺的掺杂高温、深结：不适于小尺寸器件和集成电路的掺杂有限表面源扩散的浓度分布

第五章离子注入本章主要内容IonImplantation离子注入工艺特点CharacteristicsofIonImplantation离子注入设备