微纳集成电路制造工艺教学课件第9章 光刻工艺(1).pptxVIP

微纳集成电路制造工艺Micro-nanoscaleIntegratedCircuitFabricationProcess西安电子科技大学集成电路学部微电子学院戴显英“集”“微”成著·用“芯”圆梦

第八章外延-知识总结 外延定义：按单晶衬底晶向生长一层新的单晶薄膜同质外延：外延层与衬底的材料相同，例如硅外延异质外延：外延层与衬底的材料不相同-化合物半导体外延硅源：SiCl4-APCVD，SiHCl3，SiH2Cl2-LPCVD，SiH4-PECVD生长动力学：高T低V-易单晶生长，低T高V-易多晶生长低温A区：反应控制（解释图7.6低温区4条直线斜率相同）高温B区：输运控制外延工艺技术Si外延：APCVD、LPCVD、PECVD、RPCVDMOCVD：化合物半导体外延MBE：适于任何材料的外延第八章外延工艺Chart8Epitaxy

第八章外延多选题：对外延工艺表述正确的是（）。外延层和衬底都必须是单晶外延层是单晶，衬底可以不是单晶高温低速有利于单晶Si生长低温高速有利于多晶硅生长ABCD提交多选题1分

第九章光刻工艺（一）Chapter9Photolithography（1）西安电子科技大学微电子学院戴显英2023.04.10

主要内容 光刻三要素与光刻的重要性光刻工艺流程及其工艺原理光刻分辨率光刻机与光源光刻版光刻胶先进的光刻技术第九章光刻工艺Photoli