微纳集成电路制造工艺教学课件第5章离子注入工艺（2）.pptxVIP

微纳集成电路制造工艺Micro-nanoscaleIntegratedCircuitFabricationProcess西安电子科技大学集成电路学部微电子学院戴显英“集”“微”成著·用“芯”圆梦

第五章离子注入（二）Chapter5IonImplantation西安电子科技大学微电子学院戴显英2024.04.08

第五章离子注入IonImplantation上节课知识点回顾离子注入设备结构①离子源②质量分析器③加速器④聚焦⑤偏束⑥扫描器剂量Q：独立决定注入浓度；能量E：独立决定注深度（结深）离子注入机理：核阻挡（碰撞）与电子阻挡（碰撞）核碰撞：大角度散射、入射浅、引起大的晶格损伤、可控制结深电子碰撞：小角度散射、入射深、损伤可忽略、无法控制结深（沟道效应）工艺优点：相对于扩散（熟悉掌握）注入温度低：对Si，室温；对GaAs,400℃。（扩散工艺是高温）横向扩散小：有利于器件特征尺寸的缩小。（扩散工艺是高横向扩散）可独立控制浓度分布及结深：有什么好处？（扩散工艺不能）可实现均匀掺杂：如何实现？（扩散工艺是梯度分布）注入离子纯度高：如何实现？（扩散工艺不能）不受固溶度限制：所有元素均可注入，掺杂浓度可高于固溶度。（扩散工艺不能）工艺缺点：相对于扩散（熟悉掌握）①损伤(缺陷)较多：必须退火。②成本高

第五章离子注入5.4注入离子分布IonImplantati