微纳集成电路制造工艺教学课件第7章化学气相淀积工艺(1）.pptxVIP

微纳集成电路制造工艺Micro-nanoscaleIntegratedCircuitFabricationProcess西安电子科技大学集成电路学部微电子学院戴显英“集”“微”成著·用“芯”圆梦

第七章化学气相淀积Chapter7CVD-ChemicalVapourDeposition（一）西安电子科技大学微电子学院戴显英2024.04.10

第六章PVD：技术特征与局限1）（真空）蒸发法优点：较高淀积速率，较高薄膜质量(系统真空度高)缺点：温度高，台阶覆盖能力差，淀积多元薄膜时组份难控制2）溅射法优点：低温，多元薄膜组份易控制，台阶覆盖能力强应用：溅射法在很大程度上已经取代了真空蒸发法第六章物理气相淀积PhysicalVaporDeposition蒸发溅射工艺原理利用蒸发材料熔化或升华时产生的蒸气进行薄膜淀积具有动能的等离子轰击靶材料，使靶原子逸出并被溅射到晶片上。技术特征被蒸发原子或分子只具有能量被溅射出原子只有动能淀积特征台阶覆盖蒸发粒子无方向性差溅射粒子有方向性好

本章主要内容CVD概述CVD氧化硅与热生长氧化硅CVD介质薄膜的应用CVD模型：CVD技术：CVD多晶硅CVD二氧化硅CVD氮化硅CVD金属CVD与PVDApplicationofCVDdielectricfilmsCVDSiO2andthermaloxidationSi