低温漂高阶温度补偿带隙基准设计技术研究.pdfVIP

摘要

基准源作为模拟集成电路中的一个重要单元，为整个电路与系统提供稳定且

精准的电压和电流，被广泛应用于数模转换器(DAC)、模数转化器(ADC)、低压差

线性稳压器(LDO)、各类存储器及各类传感器等电路系统中。随着微电子领域设计

和制造技术的不断发展，尖端电子产品对基准源的性能指标要求越来越高，研究高

性能的基准源具有重要意义。

根据实际应用场景的不同，带隙基准源的设计侧重点也有所不同，本文旨在设

计一款在宽温度范围内具有低温漂(低温度系数)性能的带隙基准电路。本文在充分

了解基准源的发展历史和研究现状后，简述了带隙基准源的经典结构、误差来源和

性能指标。在一阶温度补偿的基础上，本文详细分析了包括指数曲率补偿、IPTAT2

补偿、ΔV线性补偿、电阻补偿及分段补偿在内的高阶温度补偿方法，并设计了

BE

一种二阶补偿带隙基准电路。为使带隙基准电路获得更好的温度性能，同时可适用

于变化的温度范围区间，本文创新性的提出了一种分段补偿的高阶温度补偿带隙

基准电路，其电路结构主要包括低温补偿模块和高温补偿模块。低温补偿模块通过

减法电路补偿负温度系数电流，高温补偿模块通过在亚阈区工作的MOS特性补偿

正温度系数电流，高低温补偿模块相互独立工作。此电路结构可通过调节电阻阻值

来实现对温度拐点的控制，得到更低的温度系数，并将其应用于LDO的设计中。

本文通过Cadence软件基于CSMC0.5μmCMOS工艺进行电路和版图的设计与仿

真。

前仿真结果表明，分段补偿带隙基准电路可在1.8V~6V的电源电压下工作。

标准电压为5V的条件下，在-50℃~125℃温度范围内的温度系数为4.56ppm/℃。

在由电阻控制的不同温度拐点情形下，温度系数均在9ppm/℃以内。当电路上电时

间为20μs时，电路的启动时间为21.5μs。该电路的环路直流增益为70.1dB，相位

裕度为87.4°，具有良好的环路稳定性，总电流为384.5μA。将该带隙基准电路应

用于LDO中，LDO继承了其优秀的温度特性，温度系数为5.719ppm/℃。在版图

设计后，后仿真中分段补偿带隙基准温度系数为5.67ppm/℃，LDO温度系数为

5.83ppm/℃，版图面积为963μm×470μm。

关键词：带隙基准，低温度系数，高阶温度补偿，分段补偿

ABSTRACT

Asanimportantunitinanalogintegratedcircuits,referencesourceprovidestable

andaccuratevoltageandcurrentfortheentirecircuitandsystem.Theyarewidelyused

incircuitsystemssuchasanalog-to-digitalconversion(DAC),analog-to-digital

conversion(ADC),lowdropoutregulator(LDO),varioustypesofmemory,andvarious

typesofsensors.Withthecontinuousdevelopmentofdesignandmanufacturing

technologyinthefieldofmicroelectronics,topelectronicproductshaveincreasinglyhigh

requirementsfortheperformanceindicatorsofreferencesource.Studyingand

researchinghigh-performancereferencesourceisofgreatsignificance.

Accordingtodifferentpracticalapplicationscenarios,thedesi