基于TPoS结构的MEMS压力传感器研究.pdfVIP

摘要

21世纪以来，科技飞速发展催生了许多高性能MEMS传感器的诞生。在不同

类型的微机电系统器件中，基于硅上压电薄膜（Thin-film-on-silicon,TPoS）结构的

谐振器因其尺寸小、功耗低、机电转换效率高、耐高温的特点受到了研究人员的广

泛关注。当前，研究人员利用TPoS谐振器已经实现了包括加速度、磁场和温度在

内的多种谐振式传感功能，证明了该项新型谐振器技术在单片集成多功能传感领

域的应用潜力。为了拓展集成更多的传感功能，本文针对应用于大气压力检测的

TPoS谐振式压力传感器展开了深入的研究工作。

1.本文针对TPoS谐振器的基本工作原理进行了分析，分析内容包括谐振器

中的存在的压电效应、机械振动模态、电学性能表征方法和对应的等效电路模型。

针对气压传感应用场景，本文重点研究了TPoS谐振器在外部气压作用时谐振频率

随压力变化的规律特性，利用多物理场有限元仿真分析方法对谐振器的物理结构

尺寸、机械振动模态开展了优化设计工作，并最终采用基于零阶对称模式的兰姆波

振动模态（S0模态）实现拥有高压力灵敏度的敏感单元。

2.基于上述理论研究和仿真分析方法，本工作完成了四种不同结构的TPoS谐

振式压力敏感单元的设计方案，并利用微纳加工方法实现了器件的加工制备。然后，

本工作对加工制备器件进行了电学性能测试和分析，通过测试得到的频率响应曲

线提取了器件的等效电路参数，分析了谐振器的关键性能指标。另外，本工作根据

TPoS谐振式压力敏感单元的测试结果完成了对应的闭环振荡电路设计和仿真，构

建了由敏感单元和接口电路组成的完整压力传感器。本工作搭建了气压测试平台，

对制备的压力传感模块进行压力灵敏度测试。测试结果表明在室温条件下，器件的

灵敏度最大为0.57ppm/kPa

3.本文还研究了TPoS压力传感器的性能提升方法。针对器件性能易受温度

影响的问题，本文根据器件材料和结构参数量化分析了环境温度对TPoS谐振式灵

敏单元的影响规律，并研究了利用添加氧化层的途径实现谐振频率温度补偿的方

法。在压力灵敏度提升方面，本文研究了通过减小器件硅层厚度大幅提升压力灵敏

度的方法。

关键词：谐振式压力传感器，TPoS谐振器，S0模态，温度补偿

ABSTRACT

Sincethe21stcentury,therapiddevelopmentofscienceandtechnologyhas

spawnedthebirthofmanyhigh-performanceMEMSsensors.Amongvarioustypesof

MEMSdevices,resonatorsbasedonThin-filmPiezoelectric-on-silicon(TPoS)structure

havedrawnextensiveattentionbecauseoftheirmeritsinsmallfootprint,lowpower

consumption,hightemperatureresistanceandhighelectromechanicalconversion

efficiency.Sofar,researchershaveusedTPoSresonatorstosuccessfullybuildresonant

senorsformeasuringdifferentphysicalquantitiessuchasacceleration,magneticfield,

andtemperature,suggestingthepotentialformonolithicintegratedmultifunctional

sensors.Tofurtherexpandnewsensingfunctions,thisthesisperformsinvestigationon

TPoSresonantpressuresensorsformeasuringatmosphericpressure.

1.T