基于CMOS兼容的金属氧化物忆阻器及其神经形态电路仿真.pdfVIP

摘要

摘要

在科技不断发展进步的今天，传统的基于冯·诺依曼架构的数据储存和计算

分离的计算机架构已经不能满足人们对数据处理速度的要求，“冯•诺依曼瓶颈”、

“存储墙”等问题越来越突出。忆阻器以其存算一体、纳米级尺寸和低功耗等特

性成为解决上述问题的有力候选者，特别地，由于忆阻器具有许多类似生物突触

的特性，因此被广泛应用于人工神经网络中。但目前忆阻器的阻变机制尚未完全

清晰和统一，对忆阻器复合电路和神经网络电路的仿真研究还相对较少。因此本

文从忆阻器的实物制备和电路仿真两方面展开研究，研究内容和结论整理如下：

1

（）首先，在价态转变机制忆阻器中研究了多阻态和双阻态的切换行为。

13%16%20%

使用磁控溅射设备在常温和氧气含量分别为、和时制备出三种非化

学计量比的TaOx薄膜，使用阻抗分析仪研究了TaOx薄膜的介电性能，并使用

SEMAFMXRDXPS

、、和等表征方法对薄膜进行了研究比较，证明了薄膜中包

含大量氧空位。接着将制备温度设置为400℃，按照相同的工艺制备出了价态

转变机制的Ta/TaO/ITO结构忆阻器，在氧气含量为13%时制备出来的忆阻器中

x

发现了三稳态现象，包含一个高阻态和两个低阻态，同时具有较低的置位电压和

-1.1V,-2.1V,-1V3.3V

复位电压（和），当在制备过程中增加氧气含量以降低

TaOx薄膜中的氧空位浓度时，忆阻器的伏安特性从三稳态变为双稳态，即只包

含两个稳定阻态。阻态的变化是由于TaOx薄膜中钽元素的价态变化引起的，同

时对三稳态和双稳态现象的微观机制进行了详细分析。

2

（）接着，设计并制备了电化学金属化机制实物忆阻器来研究和模拟生物

(Ag)TaOAlO

突触的性能，其中上电极为活性金属银，25-x作为阻变层，y作为阻

++

N(N-Si)

挡层，型重掺杂硅片作为下电极，系统研究了单阻变层，单阻挡层，

多阻挡层结构忆阻器的阻变性能。最后筛选出了模拟性较好，循环重复性较高，

3++

10Ag/AlO/TaO/AlO/TaO/AlO/N-Si

开关比为量级的y25-xy25-xy结构忆阻器用作电

子突触，并成功测试出了正向突触权重调节、反向突触权重调节、对脉冲增强可

塑性、长期增强过程和长期抑制过程等电子突触性能。

3LTspice

（）最后，通过设计出了一种实用三层神经网络电路并进行了验

++

证。在惠普忆阻器模型的基础上，结合Ag/AlO/TaO/AlO/TaO/AlO/N-Si

y25-xy25-xy

I

摘要

结构忆阻器的性能，建立了FD忆阻器的Spice模型，研究了输入信号对单忆阻

器性能的影响，并对忆阻器的复合电路，包括同向串联和并联、反向串联和并联

电路的性能进行了详细研究，在此基础上设计