具有多孔AlGaN分布布拉格反射镜的紫外LEDs的制备及发光性能研究.pdfVIP

摘要

AlGaN基薄膜具有带隙宽、能带连续可调、击穿电场高、理化性能稳定等优点，

在发光二极管（LED）、激光器（LD）、紫外探测器（UVD）等领域成为研究热点。

AlGaN基LED器件的主要形态结构为薄膜器件，制备高质量的AlGaN基薄膜是制造

高性能LED器件的必要条件。目前，AlGaN基LED薄膜主要以蓝宝石为衬底采用有

机金属化学气相沉积（MOCVD）技术制备。由于AlGaN与蓝宝石衬底之间存在较大

的晶格失配和热失配等问题，导致异质外延生长的AlGaN基薄膜具有残余应力大和缺

陷密度高等缺点，降低了LED器件的发光性能。

为了降低缺陷密度，多采用生长缓冲层和插入层等方法。然而，这些方法所需设

备昂贵，操作复杂。此外，残余应力也会显著的影响器件的稳定性和可靠性。因此，

迫切需要寻找一种既能降低AlGaN基薄膜缺陷密度又能减小其残余应力的简单方法。

电化学刻蚀是各项异性的选择性刻蚀，刻蚀孔洞的生成与材料内部的杂质和缺陷

的分布有关，可以释放薄膜的应力，降低缺陷密度，提高发光效率。因此，电化学刻

蚀已引起广泛的关注。论文采用MOCVD、电化学刻蚀、再生长等方法制备出具有多

孔AlGaN分布布拉格反射镜（DBR）的紫外LED薄膜，促进了其在杀菌消毒和固化

曝光等领域的应用。论文研究内容主要包括以下几部分：

2

（1）在硝酸溶液中采用电化学刻蚀技术制备大面积(20.3cm)纳米多孔

Al0.085Ga0.915N(NP-AlGaN)分布布拉格反射镜(DBR)，其具有高反射率(90%)和宽的光

谱停止带。然后以NP-AlGaNDBR为衬底，采用再生长技术外延生长了AlGaN基LED。

与参比LED相比，具有DBR的AlGaN基LED发光峰显著增强，峰位红移，荧光寿

命增长。发光增强是由于AlGaN/GaNMQW缺陷密度的降低和NP-AlGaNDBR高的光

反射效应。发光峰的红移是由湿法刻蚀和再生过程中AlGaN/GaNMQW层中的应力松

弛引起的。

（2）采用电化学刻蚀和有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术制备了具有介孔

Al0.09Ga0.91N(MP-AlGaN)DBR的AlInGaN基LED。纳米孔结构在草酸溶液中的形成

+

原因主要是AlGaN材料在缺陷处的氧化和溶解。刻蚀后，u-Al0.09Ga0.91N/n-Al0.09Ga0.91N

周期性结构转变为MP-AlGaNDBR，其在紫外波段具有显著提高的反射率和宽的停止

带。研究结果表明，MP-AlGaNDBR可提高紫外LED的反射率。与参比LED相比，

具有MP-AlGaNDBR的LED的电流-电压曲线发生前倾，发光峰发生了显著增强，并

发生了蓝移现象。发光峰增强可以归因于内量子效率的提高以及光提取效率的增强；

蓝移现象是由于AlInGaNMQW层发生了应力松弛。

关键词：宽禁带半导体；电化学刻蚀；多孔AlGaN分布布拉格反射镜；紫外发光二极

管；Al组分调控

论文类型：应用研究

本研究得到陕西省自然科学基础研究项目（2023-JC-YB-590）以及西安市碑林区科技

计划项目（GX2202）的资助。

II

ABSTRACT

AlGaN-basedthinfilmshavetheadvantagesofwidebandgap,continuousadjustableenergy

band,highbreakdownelectricfieldandstablephysicalandchemicalproperties.Theyhave

becomearesearchhotspotinlight-emittingdiodes(LEDs),lasers(LDs)andultraviolet

detectors