晶圆级硅基稀土掺杂铁基石榴石薄膜磁光椭偏光谱表征方法研究.pdfVIP

摘要

近年来，硅光芯片的高速发展对硅基光电薄膜材料提出了迫切的需求。尽管光

通信中的基本单元器件已能在硅基芯片上实现集成，但少数基于非互易原理的器

件，如光隔离器仍然是分立器件，无法实现大面积硅基集成，是目前光电子集成技

术急需解决的难题。稀土掺杂铁基石榴石（RIG）薄膜等磁光材料具有较高的法拉

第旋转角和低光学损耗，是制备光隔离器等器件的理想材料。当前，利用物理气相

沉积法在硅基片上制备磁光薄膜的研究取得了显著进展，光隔离器和环形器也已

实现硅基集成，其性能也取得较大进展。光谱法、反射法等被应用于表征磁光薄膜

的光学和磁光性能，可用于测量磁光薄膜的光学常数和法拉第旋转角等参数，但无

法实现介电全张量表征，无法满足无破坏性、实时测量以及大面积表征等要求。因

此，迫切需要发展一种快速、无损的表征其光学和磁光性能的设备与方法，支撑晶

圆级硅基磁光薄膜研制。

针对上述问题，本研究针对晶圆级硅基RIG磁光薄膜无损磁光表征的难题开

展研究。主要研究了磁光椭偏光谱表征装置搭建与表征方法，研究了硅基RIG磁

光薄膜的椭偏光谱表征模型以及晶圆级硅基RIG磁光薄膜均匀性分布问题，研究

了不同稀土离子对RIG薄膜磁光效应的影响。具体研究内容包括：

（1）基于磁场仿真模型，设计了由固定架和永磁铁组成的磁场施加装置，并结

合光谱椭偏仪搭建了磁光椭偏光谱表征平台；运用椭偏参数的拟合分析方法和4×4

转移矩阵法，建立了一套磁光薄膜介电张量的完整表征模型。

（2）通过两步磁控溅射法生长4英寸硅基Ce:YIG晶圆薄膜并进行磁光椭偏

光谱表征，结果证明薄膜厚度均匀性优于4%，光学常数均匀性优于0.3%，磁光性

能均匀性优于6%，验证了高均匀度和高性能磁光薄膜的硅基集成和表征的可行性，

为后续硅基光子器件的晶圆级集成提供了可靠的表征方法。

（3）以磁光椭偏光谱表征装置和方法为基础，表征了Dy/Eu掺杂Ce:YIG磁

光薄膜的光频介电张量，结合电子跃迁机制定性地解释了Dy3+/Eu3+对RIG薄膜的

影响：Dy3+掺杂提高了Ce:YIG磁光薄膜的折射率但降低了磁光效应强度；Eu3+掺

杂提高了Ce3+含量从而间接提高薄膜磁光效应。

关键词：铁基石榴石薄膜，光谱椭偏仪，晶圆级，介电张量

ABSTRACT

Inrecentyears,therapiddevelopmentofsiliconphotonicchipshasputforward

urgentrequirementsfortheintegrationofoptoelectronicmaterials.Whilefundamental

unitdevicesinopticalcommunicationhaveachievedsilicon-basedintegration,certain

devicesrelyingonnon-reciprocalprinciples,suchasopticalisolators,remaindiscrete

componentsandfailtoachievelarge-areasilicon-basedintegration.Thisposesa

challengingproblemthaturgentlyneedstobeaddressedinoptoelectronicintegration

technology.Magneto-opticalmaterialsrepresentedbyrare-earthdopedirongarnet(RIG)

filmsexhibitnotableadvantagesincludinghighFaradayrotationanglesandlowoptical

loss,makingthemidealcandidatesforopticalisolators.Currently,monolithicintegration

ofgarnetthinfilmsonsiliconbyphysicalvapordepositionhasma