cmos模拟集成电路设计期末试题及答案.docVIP

cmos模拟集成电路设计期末试题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.CMOS工艺中，N阱主要用于制作（）

A.PMOSB.NMOSC.电阻D.电容

2.以下哪种不是CMOS模拟集成电路设计中常用的无源元件（）

A.电阻B.电容C.电感D.二极管

3.共源放大器的电压增益表达式为（）

A.gmRLB.-gmRLC.gm/RLD.RL/gm

4.CMOS反相器的静态功耗（）

A.很大B.很小C.与输入信号有关D.不确定

5.当PMOS管工作在饱和区时，其漏极电流（）

A.与栅源电压无关B.随栅源电压线性增加

C.与栅源电压的平方成正比D.与漏源电压成正比

6.以下对衬底偏置效应描述正确的是（）

A.提高NMOS管阈值电压B.降低PMOS管阈值电压

C.不影响阈值电压D.只影响PMOS管阈值电压

7.电流镜的主要作用是（）

A.放大电流B.产生恒定电流C.产生可变电压D.整流

8.源极跟随器的输出电阻（）

A.很大B.很小C.与负载有关D.与输入信号有关

9.在CMOS模拟集成电路设计中，采用cascode结构主要是为了（）

A.提高增益B.降低功耗C.减小面积D.提高速度

10.运算放大器的开环增益一般（）

A.很小B.为1C.很大D.不确定

多项选择题（每题2分，共10题）

1.CMOS模拟集成电路设计中常用的MOS管工作模式有（）

A.截止区B.线性区C.饱和区D.击穿区

2.下列哪些是影响CMOS反相器性能的因素（）

A.电源电压B.负载电容C.MOS管尺寸D.温度

3.电流镜可以由以下哪些管子组成（）

A.NMOSB.PMOSC.双极型晶体管D.结型场效应管

4.共源共栅放大器的优点有（）

A.高增益B.高输出电阻C.低噪声D.宽频带

5.设计运算放大器时需要考虑的性能指标有（）

A.增益B.带宽C.输入失调电压D.输出电阻

6.CMOS模拟集成电路设计中常用的版图设计规则包括（）

A.最小线宽B.最小间距C.面积规则D.层间连接规则

7.下列哪些属于CMOS模拟集成电路中的噪声来源（）

A.热噪声B.闪烁噪声C.散粒噪声D.环境噪声

8.提高CMOS放大器增益的方法有（）

A.增大MOS管跨导B.增大负载电阻C.采用多级放大D.减小电源电压

9.源极跟随器的特点有（）

A.电压增益近似为1B.输入电阻高C.输出电阻低D.电流增益大

10.在CMOS模拟集成电路设计流程中包含（）

A.电路设计B.版图设计C.仿真验证D.流片测试

判断题（每题2分，共10题）

1.CMOS模拟集成电路只能处理模拟信号，不能处理数字信号。（）

2.PMOS管的载流子是电子。（）

3.共源放大器的输出信号与输入信号同相。（）

4.增大MOS管的沟道长度可以减小沟道调制效应。（）

5.电流镜的输出电流完全不受温度影响。（）

6.运算放大器工作在线性区时，其输出电压与输入电压成线性关系。（）

7.版图设计中，金属层的布线可以随意交叉。（）

8.热噪声与温度无关。（）

9.源极跟随器的电压增益总是小于1。（）

10.CMOS模拟集成电路设计中，功耗和速度是相互矛盾的指标。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述CMOS模拟集成电路设计的基本步骤。

答案：先进行电路功能设计，确定结构和元件参数；接着进行电路仿真，验证性能；之后开展版图设计；最后进行版图验证和后仿真，确保符合要求，没问题后可流片。

2.说明CMOS反相器的工作原理。

答案：输入低电平时，NMOS截止，PMOS导通，输出高电平；输入高电平时，NMOS导通，PMOS截止，输出低电平，实现输入信号的反相功能。

3.解释共源放大器中增益与负载电阻的关系。

答案：共源放大器电压增益Av=-gmRL，gm为跨导，在gm不变时，负载电阻