辽宁2025自考[大功率半导体科学]半导体制造技术模拟题及答案.docxVIP

第PAGE页共NUMPAGES页

辽宁2025自考[大功率半导体科学]半导体制造技术模拟题及答案

一、单项选择题（每题1分，共20分）

1.辽宁省半导体产业中，以下哪种材料是制造大功率MOSFET的常用衬底材料？

A.GaAs

B.SiC

C.GaN

D.InP

2.在氮化镓（GaN）功率器件制造中，以下哪种工艺方法常用于提高器件的耐压性能？

A.厚膜氧化工艺

B.外延生长技术

C.化学机械抛光（CMP）

D.离子注入

3.辽宁省某半导体企业采用金刚石涂层刻蚀设备，其主要优势在于能够实现高深宽比刻蚀，适用于以下哪种器件结构？

A.MOSFET栅极氧化层

B.功率二极管PN结

C.超深沟槽隔离结构

D.薄膜电容电极

4.大功率IGBT器件的制造中，以下哪种材料常用于改善其导通损耗？

A.硅化物（如SiC）

B.金刚石涂层

C.超细晶粒铜（Cu）基板

D.氮化镓（GaN）衬底

5.在辽宁省半导体制造中，以下哪种工艺技术可有效减少功率器件的栅极漏电流？

A.离子掺杂

B.低温氧化

C.栅极介质多层结构

D.高温退火

6.制造高功率密度器件时，以下哪种封装技术能有效降低热阻？

A.陶瓷封装

B.有机基板封装

C.直接覆铜板（DPC）技术

D.塑料封装

7.辽宁某企业研发的功率器件采用多腔磁控溅射设备，其主要目的是提高以下哪种材料的均匀性？

A.蓝宝石衬底

B.SiC衬底

C.金刚石涂层

D.功率器件的金属电极

8.在大功率器件的栅极制造中，以下哪种材料常用于提高其电导率？

A.二氧化硅（SiO?）

B.氮化硅（Si?N?）

C.铝（Al）金属

D.钛酸钡（BaTiO?）

9.辽宁省某半导体厂采用干法刻蚀工艺，其主要优势在于能够实现高选择性刻蚀，适用于以下哪种材料？

A.GaN衬底

B.SiC衬底

C.金刚石涂层

D.功率器件的金属接触层

10.制造大功率MOSFET时，以下哪种工艺步骤能有效提高器件的击穿电压？

A.栅极氧化层厚度增加

B.低温退火

C.高能离子注入

D.金属电极重布

11.辽宁某企业采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术，其主要优势在于能够高效沉积以下哪种材料？

A.二氧化硅（SiO?）

B.氮化硅（Si?N?）

C.蓝宝石衬底

D.功率器件的金属接触层

12.在大功率器件的封装中，以下哪种材料常用于热界面材料（TIM）？

A.硅脂

B.导热硅凝胶

C.金属基板

D.塑料填充物

13.辽宁省某半导体企业采用原子层沉积（ALD）技术，其主要优势在于能够实现以下哪种功能？

A.高温快速沉积

B.高均匀性薄膜生长

C.大面积批量生产

D.低成本工艺

14.制造大功率IGBT器件时，以下哪种结构设计能有效降低通态损耗？

A.垂直栅极结构

B.水平栅极结构

C.超细晶粒铜基板

D.多层金属电极

15.辽宁某企业采用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备，其主要优势在于能够实现高方向性刻蚀，适用于以下哪种结构？

A.功率器件的沟槽结构

B.MOSFET栅极氧化层

C.薄膜电容电极

D.功率二极管的PN结

16.在大功率器件的制造中，以下哪种工艺技术能有效提高器件的散热性能？

A.低温氧化

B.高能离子注入

C.金属基板覆铜技术

D.有机基板封装

17.辽宁省某半导体厂采用磁控溅射工艺，其主要优势在于能够高效沉积以下哪种材料？

A.二氧化硅（SiO?）

B.氮化硅（Si?N?）

C.蓝宝石衬底

D.功率器件的金属接触层

18.制造大功率MOSFET时，以下哪种工艺步骤能有效提高器件的开关速度？

A.栅极氧化层厚度增加

B.高温退火

C.低能离子注入

D.金属电极重布

19.辽宁某企业采用干法刻蚀工艺，其主要优势在于能够实现高选择性刻蚀，适用于以下哪种材料？

A.GaN衬底

B.SiC衬底

C.金刚石涂层

D.功率器件的金属接触层

20.在大功率器件的封装中，以下哪种技术能有效降低热阻？

A.陶瓷封装

B.有机基板封装

C.直接覆铜板（DPC）技术

D.塑料封装

二、多项选择题（每题2分，共20分）

21.辽宁省半导体产业中，以下哪些材料是制造大功率器件的常用衬底材料？

A.GaAs

B.SiC

C.GaN

D.InP

E.Si

22.在氮化镓（GaN）功率器件制造中，以下哪些工艺方法有助于提高器件的耐压性能？

A.外延生长技术

B.化学机械抛光（CMP）

C.高能离子注入

D.低温退火

E.栅极介质多层结构

23.辽宁省某半导体企业采用金刚石涂层刻蚀设备，其主要优势包括哪些？

A.高深宽比