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重庆2025自考[大功率半导体科学]半导体制造技术高频题(考点)

一、单选题（每题2分，共20题）

1.在重庆半导体产业中，用于制造大功率MOSFET的沟槽深度通常控制在多少范围内？

A.1-2μm

B.3-5μm

C.5-10μm

D.10-20μm

2.重庆某半导体企业采用的反应离子刻蚀（RIE）技术，其主要优势在于？

A.刻蚀速度极快

B.刻蚀方向性强，精度高

C.成本极低

D.适用于大面积晶圆

3.在重庆集成电路制造中，以下哪种材料常用于制备深紫外（DUV）光刻胶的成膜剂？

A.聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）

B.聚酰亚胺（PI）

C.聚对二甲苯（Parylene）

D.聚碳酸酯（PC）

4.重庆某功率器件生产线采用低温等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术，其主要目的是？

A.制造高纯度氮化硅薄膜

B.提高晶圆表面光洁度

C.增强器件散热性能

D.形成高密度电镀层

5.在重庆半导体器件制造中，以下哪种工艺主要用于减少器件漏电流？

A.离子注入

B.原子层沉积（ALD）

C.离子蚀刻

D.化学机械抛光（CMP）

6.重庆某企业采用干法刻蚀技术制备功率MOSFET的栅极氧化层，其主要使用的是哪种气体？

A.氮气（N?）

B.氧气（O?）

C.硅烷（SiH?）

D.三氯甲烷（CHCl?）

7.在重庆功率器件制造中，以下哪种技术常用于改善器件的导热性能？

A.复合散热片设计

B.等离子体激活退火

C.氮化镓（GaN）外延生长

D.超声波清洗

8.重庆某半导体厂采用化学机械抛光（CMP）技术，其主要目的是？

A.提高晶圆表面平整度

B.增强刻蚀选择性

C.提高沉积速率

D.减少器件功耗

9.在重庆功率器件制造中，以下哪种材料常用于制备高导热率的热界面材料（TIM）？

A.导热硅脂

B.聚四氟乙烯（PTFE）

C.硅橡胶

D.铝基合金

10.重庆某企业采用电子束曝光（EBL）技术进行掩模版制造，其主要优势在于？

A.曝光分辨率高

B.成本低廉

C.适用于大批量生产

D.曝光速度快

二、多选题（每题3分，共10题）

1.在重庆功率器件制造中，以下哪些工艺步骤属于光刻工艺的组成部分？

A.掩模版制作

B.光刻胶涂覆

C.曝光

D.显影

E.刻蚀

2.重庆某半导体厂采用原子层沉积（ALD）技术制备氮化硅（Si?N?）薄膜，其主要优势包括？

A.沉积速率快

B.薄膜均匀性好

C.可在低温下沉积

D.化学计量精确

E.成本低廉

3.在重庆功率器件制造中，以下哪些材料常用于制备栅极介质层？

A.氮化硅（Si?N?）

B.氧化硅（SiO?）

C.高k介质材料（如HfO?）

D.氮化镓（GaN）

E.二氧化钛（TiO?）

4.重庆某企业采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备氮化硅薄膜，其主要优点包括？

A.沉积速率高

B.薄膜致密度高

C.可在高温下沉积

D.工艺简单

E.成本低廉

5.在重庆功率器件制造中，以下哪些工艺步骤属于退火工艺的范畴？

A.快速热退火（RTA）

B.慢速炉退火

C.等离子体退火

D.氮化退火

E.氧化退火

6.重庆某半导体厂采用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术，其主要优势包括？

A.刻蚀速率高

B.刻蚀方向性好

C.刻蚀均匀性高

D.可用于多种材料刻蚀

E.成本低廉

7.在重庆功率器件制造中，以下哪些因素会影响器件的导热性能？

A.器件材料的热导率

B.散热结构设计

C.封装材料的导热性

D.器件工作温度

E.环境湿度

8.重庆某企业采用干法刻蚀技术制备功率MOSFET的沟槽结构，其主要使用哪些气体？

A.氟化氢（HF）

B.氮氧混合气（N?/O?）

C.硅烷（SiH?）

D.三氯甲烷（CHCl?）

E.氮化硼（BN）

9.在重庆功率器件制造中，以下哪些技术常用于改善器件的耐压性能？

A.增加漂移区厚度

B.采用高击穿电场材料

C.优化器件结构设计

D.提高栅极氧化层质量

E.降低器件工作温度

10.重庆某半导体厂采用电子束曝光（EBL）技术进行掩模版制造，其主要应用场景包括？

A.高分辨率光刻

B.芯片原型验证

C.小批量生产

D.复杂结构器件制造

E.大规模量产

三、判断题（每题2分，共10题）

1.在重庆功率器件制造中，反应离子刻蚀（RIE）技术可以实现各向异性刻蚀。（√）

2.重庆某半导体厂采用化学机械抛光（CMP）技术，其主要目的是提高晶圆表面粗糙度。（×）

3.在重庆功率器件制造中，氮化镓（GaN）材料的热