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SiC衬底上石墨烯生长机理与电学表征的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

石墨烯作为一种由碳原子构成的单层六角晶格结构二维纳米材料，自2004年被成功制备以来，便凭借其独特的性能在科学界和工业界引起了广泛关注，被誉为“材料之王”。从微观角度来看，其晶格中碳原子间通过共价键紧密相连，形成了稳定的蜂窝状结构，这种结构赋予了石墨烯诸多优异特性。在电学方面，石墨烯的导电性极佳，电子迁移率比传统材料高出许多，室温下电子迁移率可高达15000cm2/V?s，电子在其中的移动速度快，这使得它在电子领域有着巨大的应用潜力，有望用于制造更小、更快、更节能的芯片和晶体管。在力学性能上，其强度是钢的数百倍，能够承受较大的外力而不发生破裂，为其在结构材料方面的应用提供了可能。在热学性质上，石墨烯拥有出色的导热性能，能够快速地传导热量，在散热领域具有重要价值。另外，它还具有超大的比表面积，这对于吸附和催化等过程具有重要意义。

由于这些突出的特点，石墨烯在众多领域展现出了广阔的应用前景。在电子领域，可用于制造高性能的晶体管、柔性显示屏和超级电容器等。在能源领域，能够应用于锂离子电池和太阳能电池中，提高电池的充放电速度、循环寿命以及光电转换效率。在复合材料领域，添加到传统材料中，可以显著增强材料的强度、韧性和导电性等性能，制造出更轻、更强、更耐用的复合材料。在生物医学领域，凭借良好的生物相容性和大的比表面积，可用于药物输送、生物传感器和组织工程等方面。

目前制备石墨烯的方法众多，其中SiC衬底外延生长石墨烯由于能和主流的CMOS工艺相兼容并且不需要衬底转移，受到研究人员的高度关注。SiC作为一种宽带隙半导体材料，与石墨烯相互匹配的晶体结构和互补的物理化学性质，使其成为石墨烯生长的理想基底。其生长原理主要是通过加热单晶SiC或对SiC进行催化，使SiC热解，碳硅间共价键断开，碳原子析出或硅原子升华，然后对基板快速降温，碳原子在衬底表面析出重新排列，形成石墨烯。这种方法制备的石墨烯具有晶体质量高、层数均匀可控、无需衬底转移、可直接应用于微电子器件研究的优点，是目前制备晶圆级石墨烯材料的主要方法之一。

对SiC衬底石墨烯生长机理及电学表征的研究具有至关重要的意义。深入理解生长机理，有助于优化生长工艺，提高石墨烯的质量和生长效率，降低生产成本，从而推动石墨烯大规模制备技术的发展。精确的电学表征能够为石墨烯在电子器件中的应用提供关键参数，为器件的设计和性能优化提供理论依据，加速石墨烯从实验室研究走向实际应用的进程，促进其在下一代电子学、光子学和量子计量学等多个技术领域中的应用。

1.2国内外研究现状

在SiC衬底石墨烯生长机理的研究上，国内外学者已取得了一系列成果。中国科学院化学研究所刘云圻院士/董际臣研究员团队结合第一性原理计算与混合蒙特卡洛-分子动力学模拟，揭示了由SiC(0001)表面电荷高度局域化及其与石墨烯间较大的晶格失配导致的石墨烯在SiC(0001)表面的全新成核机制。研究发现碳链向sp2碳簇转变的临界尺寸为Nc=6，远小于过渡金属表面上的临界转变尺寸（Nc=11-12），且SiC(0001)表面上最稳定的碳团簇结构主要由五元环构成。并提出了低能量的纵向成核模式和高能量的圆周成核模式两种可能的成核模式。

在生长工艺的研究上，厦门大学田中群院士/易骏教授团队报道了一种热冲击退火（TSA）方法，该方法可以在SiC表面实现对高质量少层石墨烯的动力学可控的外延生长，且生长时间仅需10s，有效地满足了在SiC上生产高质量、少层和低成本石墨烯的需求，还能有效抑制传统热处理过程中长期存在的SiC表面台阶集聚难题，大幅提高了SiC外延石墨烯的平整度。

在电学表征方面，佐治亚理工学院研究人员制造出世界上第一个由石墨烯制成的功能半导体，发现当制造得当时，外延石墨烯会与碳化硅发生化学键合，并开始表现出半导体特性，测量表明其石墨烯半导体的迁移率是硅的10倍。国内对石墨烯电学性质的研究也在不断深入，包括对其量子霍尔效应、Klein隧穿、Andreev反射等特殊电学现象的研究，为石墨烯在电子器件中的应用提供了理论基础。

然而，当前研究仍存在一些不足与空白。对于生长机理的研究，虽然提出了一些新的成核机制和生长模式，但在复杂生长环境下，多因素耦合对石墨烯生长过程的影响还缺乏系统深入的研究。在电学表征方面，不同测试方法之间的兼容性和数据一致性问题尚未得到很好的解决，对于石墨烯与SiC衬底界面处的电学特性研究还不够全面，这限制了对石墨烯基器件性能的进一步提升和优化。

1.3研究内容与方法

本研究将围绕SiC衬底石墨烯生长机理及电学表征展开，具体内容包