2025年高压电气试验试题及答案(简答题).docxVIP

2025年高压电气试验试题及答案(简答题)

1.简述介质损耗因数（tanδ）测试的主要目的及影响测试结果的关键因素

介质损耗因数测试是评估电气设备绝缘性能的重要手段，主要目的是通过测量绝缘材料在交流电压下的有功损耗与无功损耗之比（tanδ），判断绝缘内部是否存在老化、受潮、局部缺陷或杂质污染等问题。其关键影响因素包括：（1）温度：tanδ随温度升高呈指数增长，尤其在0℃~60℃区间变化显著，测试时需记录环境温度并按规程修正；（2）试验电压：部分设备（如电容型设备）在低电压下tanδ稳定，当电压超过某临界值时，因内部缺陷（如气隙放电）导致tanδ急剧上升，需按规程规定的电压等级加压；（3）频率：标准测试频率为50Hz，频率偏离会改变绝缘介质的极化特性，高频下偶极子极化滞后加剧，tanδ增大；（4）表面泄漏：设备表面脏污或潮湿会产生沿面泄漏电流，干扰测量结果，需清洁表面并加屏蔽环消除影响；（5）电场干扰：现场存在强电场时，耦合电容会引入干扰电流，需采用倒相法或移相电源抑制干扰。

2.直流泄漏电流试验与绝缘电阻测试的主要区别有哪些？

二者均用于检测绝缘缺陷，但存在以下核心差异：（1）测试电压不同：绝缘电阻测试通常施加500V~5000V直流电压（如兆欧表），而直流泄漏电流试验电压更高（可达数万伏，如10kV~60kV），能更有效暴露高电压下才会发展的绝缘弱点；（2）灵敏度不同：泄漏电流试验通过微安表直接测量泄漏电流值（μA级），而绝缘电阻测试通过电压与电流比值计算绝缘电阻（MΩ级），前者对微小缺陷（如局部受潮、劣化）的响应更敏感；（3）能发现的缺陷类型不同：绝缘电阻主要反映整体绝缘状况，而泄漏电流试验可通过“电压-电流”曲线的非线性特征（如随电压升高电流异常增大）识别局部集中性缺陷（如瓷套裂纹、绕组匝间短路）；（4）仪器结构不同：泄漏电流试验需高压直流发生器（如倍压整流装置）配合微安表，而绝缘电阻测试使用便携兆欧表，操作更简单。

3.简述特高频（UHF）局部放电检测技术的工作原理及在GIS设备中的应用优势

特高频局部放电检测基于局部放电时产生的高频电磁波信号（300MHz~3GHz）进行检测。当GIS内部发生局部放电（如气隙放电、导体毛刺放电）时，放电脉冲上升时间极短（纳秒级），会激发宽频带电磁波，其中300MHz以上的特高频成分可通过GIS盆式绝缘子上的预留检测孔或内置传感器耦合接收。其在GIS中的应用优势包括：（1）抗干扰能力强：常规电磁干扰（如50Hz工频、电晕）主要集中在低频段（300MHz），UHF信号可有效避开干扰；（2）定位精度高：通过多传感器时差定位法（TOA）或幅值比较法，可将放电点定位至米级甚至分米级；（3）可在线监测：无需停电，通过安装固定传感器实现长期状态跟踪；（4）能识别放电类型：不同放电类型（如自由金属颗粒、绝缘子表面放电）产生的UHF信号特征（如频率分布、波形形态）存在差异，结合模式识别技术可区分缺陷类型。

4.频率响应分析法（FRA）检测变压器绕组变形的基本原理是什么？测试时需注意哪些关键事项？

FRA的原理是利用变压器绕组的传递函数特性：正常绕组的电感、电容参数（即匝间、饼间、对地电容及漏电感）构成固定的频率响应特性（幅频特性和相频特性）；当绕组发生变形（如轴向位移、径向扭曲）时，参数改变导致传递函数曲线（幅值-频率曲线）出现偏移、波动或峰值变化。通过对比三相绕组或同一绕组不同时期的响应曲线，可判断是否存在变形及变形程度。测试时需注意：（1）接线方式：高压绕组测试时需将非被试绕组三相短路接地，低压绕组测试时同理，避免杂散电容影响；（2）频率范围：通常覆盖10Hz~1MHz，低频段（100kHz）反映绕组整体结构（如绕组间电容、铁芯影响），高频段（100kHz）反映局部结构（如匝间、饼间电容）；（3）温度影响：绕组温度变化会改变导线电阻，进而影响低频段响应，测试前后需记录油温并确保温度稳定；（4）仪器校准：测试前需对信号源、放大器、采集卡进行校准，避免系统误差；（5）背景干扰：应在低电磁干扰环境下测试，必要时使用屏蔽线或缩短测试电缆长度。

5.GIS设备现场交流耐压试验前需完成哪些预处理工作？试验过程中出现放电信号时应如何处理？

预处理工作包括：（1）绝缘性能初检：对GIS内各元件（如断路器、隔离开关）进行绝缘电阻测试（≥1000MΩ），对电流互感器、电压互感器进行介质损耗因数测试（tanδ≤0.5%），排除明显绝缘缺陷；（2）SF6气体检测：检测气体湿度（≤200μL/L，20℃）、纯度（≥99.8%）及分解产物（如SO2、H2S≤1μL/L），确保气体绝缘性能达标；（3）内部清洁度检查：通过X射线成像或抽真空检漏（真空度≤133Pa）确认内部无金属颗粒