微波辐照法：碳化硅纳米线合成与场发射性质的深度探究.docx

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2025-10-16 发布于上海
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微波辐照法：碳化硅纳米线合成与场发射性质的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

碳化硅纳米线（SiCNWs）作为一种极具潜力的一维纳米材料，自问世以来便在众多领域展现出独特的应用价值，吸引了科研工作者的广泛关注。它继承了碳化硅块体材料优异的力学性能，单根SiCNWs的杨氏模量可达610-660GPa，抗弯强度高达53.4GPa，约为碳化硅晶须的两倍，拉伸强度超过14GPa，同时在扫描电镜下还被发现具有超塑性现象。这些卓越的力学特性，使其在结构增强领域具有重要应用价值，可用于制造高性能复合材料，显著提升材料的强度和韧性，在航空航天、汽车制造等对材料性能要求极高的领域有着广