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从原理到应用：石墨烯FET器件的多维度探索与前沿洞察

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，电子学领域对于高性能器件的需求日益增长。场效应晶体管（FET）作为现代电子设备的核心组件，其性能的提升对于推动整个电子产业的发展具有至关重要的作用。传统的硅基FET在不断缩小尺寸的过程中，逐渐面临着诸如功耗增加、量子隧穿效应等物理极限的挑战，难以满足未来高速、低功耗电子器件的发展需求。

石墨烯，作为一种由碳原子组成的二维材料，自2004年被成功制备以来，因其独特的物理性质而备受关注。它具有极高的载流子迁移率，在室温下电子迁移率可达到10,000cm2/V?s以上，这使得石墨烯