半导体物理 第八章 .pptVIP

隧穿机制图8.29为实验测得的npGe—Si异质结在不同温度下正向伏安特性(半对数坐标．每一温度下的曲线都由两条斜率不同的直线组成.低偏压部分的直线不同温度有不同斜率，且温度愈低斜率愈大,与式(8-5-13)的趋势一致．但曲线的较高偏压部分，不同温度具有相近的斜率，而且对于同一偏压，不同温度下的电流值变化相对较小.斜率不随温度变化,电流大小对温度依赖较小，这正是隧道电流的特征.(8-5-14)第30页，共65页，星期日，2025年，2月5日第31页，共65页，星期日，2025年，2月5日图8.30中的npGe-GaAs结的正向特性也有类似的情形．在0.7伏以下,77K和296K的曲线具有相近的斜率．电流对温度的依赖比扩散—发射机制的要弱得多．第32页，共65页，星期日，2025年，2月5日这两种情况都可以通过隧穿机制加以解释．图8.31所示为几种可能的隧穿机制.每一种情形下，完整的电流过程都由几个“串联”的过程构成．例如图8.31(a)中的过程由以下三个步骤组成：导带电子隧穿到界面态；由较高的界面态跃迁到较低的界面态；空穴隧穿到较低的界面态．电流的大小主要取决于“阻力”最大的过程(速率限制过程)．如果某一隧道过程是速率限制过程，那么电流电压特性将由该隧道过程的隧穿几率随电压的变化决定．

第33页，共65页，星期日，2025年，2月5日第34页，共65页，星期日，2025年，2月5日在GaAs—GaAlAspn异质结的正向I-V特性中，也可有很强的隧道成分．将式(6-4-7)中的Vb由K(VD?V)代替，即可得到隧穿几率：

K为发生隧穿的一侧分配到的电势差在总电势差中所占的比例．Ke(VD?V)代表势垒高度．(8-5-18)第35页，共65页，星期日，2025年，2月5日因此在半对数坐标中电流电压有线性关系

上式中V的系数中的各量均与温度无关，因此斜率不随温度变化．不同温度下电流大小的变化可由VD的变化加以解释．在此式中，常数与VD有关。(8-5-19)第36页，共65页，星期日，2025年，2月5日对于图8.29的npGe-Si结的特性的分析表明，其电流过程符合隧穿+复合模型。在较低偏压下复合是速率限制因素，曲线斜率随温度的增加而减小。但较大偏压下结电流的大小主要受隧穿的限制．在上述电流机制占主导地位时显然不应有显著的少子

第37页，共65页，星期日，2025年，2月5日第38页，共65页，星期日，2025年，2月5日第九章半导体的光吸收和发光现象

9.1半导体的光吸收光在导电媒质中传播时具有衰减现象，即产生光的吸收。半导体材料通常能强烈地吸收光能，具有数量级为105cm-1的吸收系数。材料吸收辐射能导致电子从低能级跃迁到较高的能级。对于半导体材料，自由电子和束缚电子的吸收都很重要。

第39页，共65页，星期日，2025年，2月5日大量实验证明，价带电子跃迁是半导体研究中最重要的吸收过程。当一定波长的光照射半导体材料时，电子吸收足够的能量，从价带跃迁入导带。电子从低能带跃迁到高能带的吸收，相当于原子中的电子从能量较低的能级跃迁到能量较高能级的吸收。其区别在于：原子中的能级是不连续的，两能级间的能量差是定值，因而电子的跃迁只能吸收一定能量的光子，出现的是吸收线；而在晶体中，与原子能级相当的是一个由很多能级组成，实际上是连续的能带，因而光吸收也就表现为连续的吸收带。第40页，共65页，星期日，2025年，2月5日9.1.1本征吸收

理想半导体在绝对零度时，价带是完全被电子占满的，因此价带内的电子不可能被激发到更高的能级。唯一可能的吸收是足够能量的光子使电子激发，越过禁带跃迁入空的导带，而在价带中留下一个空穴，形成电子—空穴对。这种由于电子由带与带之间的跃迁所形成的吸收过程称为本征吸收。图10-3是本征吸收的示意图。

第41页，共65页，星期日，2025年，2月5日第42页，共65页，星期日，2025年，2月5日显然，要发生本征吸收，光子能量必须等于或大于禁带宽度Eg,即h?0是能够引起本征吸收的最低限度光子能量。也即，对应于本征吸收光谱，在低频方面必然存在一个频率界限?0(或者说在长波